Black Phosphorus/ReSe₂ FET Device
₩1,139,082Black Phosphorus/ReSe₂ FET Device 헤테로접합 FET 소자 소자 구조: 전도성 Si 기판 / 300 nm SiO₂ 층 / 5 µm 금 전극 어레이 / ReSe₂ / 흑린 소…
13개 결과 모두 표시
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Graphene FET Device
₩1,139,082Graphene FET Device 소자 구조: 전도성 Si 기판 / 300 nm SiO₂ 층 / 그래핀 채널 / Cr+Au 전극 소자 설명 및 특징: 그래핀 2차원 소재: 그래핀은 탄소 원자로 이…
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Mechanically Exfoliated Black Phosphorus FET Device
₩1,139,082Mechanically Exfoliated Black Phosphorus FET Device 흑린(BP) FET 소자 소자 구조: 고농도 도핑 전도성 Si 기판 / 300 nm SiO₂ 층 / Au…
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Mechanically Exfoliated HfS₂ FET Device
₩1,139,082Mechanically Exfoliated HfS₂ FET Device 소자 구조: Au Electrodes / HfS₂ / 300 nm SiO₂ / Si Back-Gated FET HfS₂ 층 옵…
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Mechanically Exfoliated Monolayer Graphene FET
₩1,139,082Mechanically Exfoliated Monolayer Graphene FET 소자 구조: 고농도 도핑 전도성 Si 기판 / 300 nm SiO₂ 층 / 단일층 그래핀 / Cr+Au 전극 소자…
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Mechanically Exfoliated ReS₂ FET Device
₩1,139,082Mechanically Exfoliated ReS₂ FET Device ReS₂ FET (백게이트 ReS₂ FET) 소자 구조: Au 전극 / ReS₂ / 300 nm SiO₂ / Si 백게이트 F…
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Mechanically Exfoliated ReSe₂ FET Device
₩1,139,082Mechanically Exfoliated ReSe₂ FET Device ReSe₂ FET (백게이트 ReSe₂ FET) 소자 구조: Au 전극 / ReSe₂ / 300 nm SiO₂ / Si 백게…
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Mechanically Exfoliated WS₂ FET Device
₩1,139,082Mechanically Exfoliated WS₂ FET Device WS₂ FET (백게이트 WS₂ FET) 소자 구조: Au 전극 / WS₂ / 300 nm SiO₂ / Si 백게이트 FET W…
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Monolayer 2H-MoTe₂ FET Device
₩1,139,082Monolayer 2H-MoTe₂ FET Device 소자 구조: 전도성 Si 기판 / 300 nm SiO₂ 층 / 5 µm 금 전극 어레이 / 단일층 2H-MoTe₂ 소자 설명 및 특징: 표준 2…
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MoS₂ FET Device
₩1,139,082MoS₂ FET Device 소자 구조: 전도성 Si 기판 / 300 nm SiO₂ 층 / 소수층 또는 다층 MoS₂ / Au+Cr+Au 전극 MoS₂ 레이어 옵션: Few-layer (~5 lay…
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Multilayer ReS₂/PdSe₂ FET Device
₩1,139,082Multilayer ReS₂/PdSe₂ FET Device 소자 구조: 전도성 Si 기판 / 285 nm SiO₂ / Au 전극 / 박리된 다층 PdSe₂ / 박리된 다층 ReS₂ 재료 사양: Mu…
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WS₂ FET Device
₩1,139,082WS₂ FET Device 소자 사양: 포장: Single device (1 unit per package) 소자 치수: 1 cm x 1 cm 기판: SiO₂/Si (Silicon with 300 …
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WSe₂ FET Device
₩1,139,082WSe₂ FET Device 소자 사양: 포장: Single device (1 unit per package) 소자 치수: 1 cm x 1 cm 기판: SiO₂/Si (Silicon with 300…