MoS2 FET Device
2D 소재 기반 소자

MoS₂ FET Device

₩1,139,082

※ 원화(KRW) 기준 참고 가격입니다(대한민국 부가가치세 미포함).

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MoS₂ FET Device

소자 구조:
전도성 Si 기판 / 300 nm SiO₂ 층 / 소수층 또는 다층 MoS₂ / Au+Cr+Au 전극

MoS₂ 레이어 옵션:
Few-layer (~5 layers) or Multilayer (~10 layers)
맞춤 레이어 두께 제공 가능 – 당사로 문의해 주십시오

소자 설명 및 특징:
표준 2차원 반도체: 이황화몰리브덴(MoS₂)은 층 의존적 밴드갭(단일층: 직접, 다층: 간접)을 가지는 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMD)로, 표준 전자소자 및 광전자소자에 적합합니다. 백게이트 FET 구성: SiO₂/Si 백게이트 구조는 고효율 정전 제어를 제공하며, 저전력 동작과 높은 온/오프 전류비를 구현합니다. 삼각형 MoS₂ 대 박리 MoS₂:
CVD 성장 삼각형 MoS₂: 대면적 균일성을 갖추어 확장 가능한 소자 제작에 적합합니다.
기계적으로 박리한 MoS₂: 결함이 적은 고유 특성을 유지하여 캐리어 수송을 최적화합니다.
금속 접촉 엔지니어링: Au+Cr+Au 전극 구조가 저저항 오믹 접촉을 형성하여 전하 주입과 캐리어 이동도를 향상시킵니다.

주요 용도:
표준 전계효과 트랜지스터(FET):
높은 이동도, 우수한 게이트 제어, 초박형 채널을 갖춘 MoS₂ FET는 특수 나노전자소자에 활용됩니다. 유연 및 저전력 전자소자:
웨어러블 기기, 투명 전자소자, 유연 트랜지스터에 적용 가능합니다. 광전자 및 광검출 소자:
MoS₂는 층 의존적 광발광 특성을 나타내어 광검출기, LED, 광기전력 소자에 활용됩니다. 뉴로모픽 및 양자 컴퓨팅:
MoS₂의 다양한 전자적·엑시톤 특성은 뉴로모픽 컴퓨팅 및 양자전자소자의 유망한 후보로 평가됩니다.

옵션 1

Few-layer (~5 layers), Multilayer (~10 layers)

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