Black Phosphorus/ReSe2 FET Device
2D 소재 기반 소자

Black Phosphorus/ReSe₂ FET Device

₩1,139,082

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Black Phosphorus/ReSe₂ FET Device

헤테로접합 FET 소자

소자 구조:
전도성 Si 기판 / 300 nm SiO₂ 층 / 5 µm 금 전극 어레이 / ReSe₂ / 흑린

소자 설명 및 특징:
2차원 반데르발스 헤테로접합: 이방성 흑린(BP)과 ReSe₂의 조합은 type-II 밴드 정렬 헤테로구조를 형성하여 전하 분리와 캐리어 수송을 가능하게 합니다. 층 의존적 밴드갭 엔지니어링:
흑린(BP): 레이어에 따라 조정 가능한 직접 밴드갭(벌크 기준 ~0.3 eV, 단일층 기준 ~1.5 eV)을 가지며, 높은 이동도와 이방성을 제공합니다.
ReSe₂: 이방성 밴드 구조(단일층 기준 직접 밴드갭 ~1.3 eV)를 가지는 낮은 대칭성의 TMD로, 우수한 수송 특성을 제공합니다. 백게이트 FET 구성: SiO₂/Si 백게이트 구조는 정전 제어 연구에 사용됩니다. 금 전극 어레이(5 µm 간격): 캐리어 주입 및 2차원 수송 연구에 사용됩니다.

주요 용도:
전계효과 트랜지스터(FET):
헤테로구조 채널은 조정 가능한 전자적 특성을 지원하여 나노전자소자에 사용됩니다. 이방성 전하 수송 및 방향성 전자소자:
BP와 ReSe₂의 층상 이방성은 방향성 캐리어 수송 연구를 가능하게 합니다. 광전자 및 광검출기

주요 용도:
type-II 밴드 정렬은 광생성 캐리어 분리를 지원하여 광검출기 및 광기전력 소자에 사용됩니다. 뉴로모픽 및 양자 컴퓨팅:
밴드 구조와 층간 결합 효과는 뉴로모픽 로직 및 양자전자소자 응용을 지원합니다.

옵션 1

Few-layer (~5 layers), Multilayer (~10 layers)

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