Mechanically Exfoliated Black Phosphorus FET Device
Mechanically Exfoliated Black Phosphorus FET Device – view 2
2D 소재 기반 소자

Mechanically Exfoliated Black Phosphorus FET Device

₩1,139,082

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Mechanically Exfoliated Black Phosphorus FET Device

흑린(BP) FET 소자

소자 구조:
고농도 도핑 전도성 Si 기판 / 300 nm SiO₂ 층 / Au 전극 / 기계적으로 박리한 소수층 흑린

소자 사양:
채널 폭: 5 µm
Few-Layer Black Phosphorus (BP)
특정 두께가 필요한 경우 당사로 문의해 주십시오.

소자 설명 및 특징:
고이동도 2차원 반도체: 흑린(BP)은 층 의존적 직접 밴드갭(벌크 기준 ~0.3 eV에서 단일층 기준 ~1.5 eV)과 높은 캐리어 이동도를 가지는 층상 반데르발스 소재입니다. 백게이트 FET 구성: SiO₂/Si 백게이트 구조는 정전 제어를 지원하며, 저전력 동작과 높은 온/오프 전류비를 구현합니다.
기계적으로 박리한 소수층 BP: 전하 수송 연구에 사용됩니다.
금 전극: 저저항 오믹 접촉을 형성하여 캐리어 주입 효율을 지원합니다.
이방성 수송: BP는 방향 의존적 전기적 특성을 나타내어 방향성 전자소자 응용을 가능하게 합니다.

주요 용도:
전계효과 트랜지스터(FET):
BP FET는 높은 이동도, 게이트 튜너빌리티, 조정 가능한 밴드갭을 나타내어 나노전자소자 응용에 사용됩니다. 유연 및 저전력 전자소자:
BP의 기계적 유연성은 웨어러블 기기, 투명 전자소자, 유연 트랜지스터에 활용될 수 있습니다. 적외선 광전자 및 광검출기:
층 의존적 밴드갭을 통해 BP는 적외선 감응 소재로 기능하여 광검출기 및 근적외선 광전자소자에 사용됩니다. 뉴로모픽 및 양자 컴퓨팅:
BP의 이방성 전자적 특성은 뉴로모픽 및 양자 컴퓨팅 응용에 활용될 수 있습니다.

옵션 1

Few-layer (~5 layers), Multilayer (~10 layers)

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