Monolayer 2H-MoTe2 FET Device
Monolayer 2H-MoTe2 FET Device – view 2
2D 소재 기반 소자

Monolayer 2H-MoTe₂ FET Device

₩1,139,082

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Monolayer 2H-MoTe₂ FET Device

소자 구조:
전도성 Si 기판 / 300 nm SiO₂ 층 / 5 µm 금 전극 어레이 / 단일층 2H-MoTe₂

소자 설명 및 특징:
표준 2차원 반도체: 2H상의 이텔루르화몰리브덴(MoTe₂)은 직접 밴드갭(단일층 기준 ~1.1 eV)을 가지는 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMD)로, 표준 전자 및 광전자 응용에 적합합니다. 백게이트 FET 구성: SiO₂/Si 백게이트 구조는 고효율 정전 제어를 제공하며, 저전력 동작, 높은 전계효과 이동도, 높은 온/오프 전류비를 구현합니다. 금 전극 어레이(5 µm 간격): MoTe₂의 고유 수송 특성을 유지하면서 균일한 캐리어 주입을 지원합니다.
단일층 구조: 강한 빛-물질 상호작용을 나타내며, 벌크 소재 대비 우수한 광전자 응답 특성을 제공합니다. 반도체성 2H상: MoTe₂의 열역학적으로 안정한 반도체 상으로, 높은 전기적 성능과 다양한 전자적 특성을 제공합니다.

주요 용도:
표준 전계효과 트랜지스터(FET):
단일층 MoTe₂ FET는 높은 이동도와 우수한 게이트 튜너빌리티를 나타내어 초박형 저전력 나노전자소자의 유망한 후보로 평가됩니다. 유연 및 투명 전자소자:
MoTe₂의 초박형 특성으로 유연 트랜지스터 및 투명 전자소자에 적용 가능합니다. 광전자 및 적외선 광검출기

주요 용도:
좁은 밴드갭(~1.1 eV)을 가진 MoTe₂는 적외선 감응 소재로 기능할 수 있어 광검출기 및 근적외선 광전자소자에 적용 가능합니다. 양자 수송 및 스핀트로닉스:
MoTe₂의 층상 구조와 강한 스핀-궤도 결합은 양자전자소자 및 스핀트로닉스 소자 응용 가능성을 제공합니다.

옵션 1

Few-layer (~5 layers), Multilayer (~10 layers)

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