Mechanically Exfoliated ReS2 FET Device
2D 소재 기반 소자

Mechanically Exfoliated ReS₂ FET Device

₩1,139,082

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Mechanically Exfoliated ReS₂ FET Device

ReS₂ FET (백게이트 ReS₂ FET)

소자 구조:
Au 전극 / ReS₂ / 300 nm SiO₂ / Si 백게이트 FET

소자 사양:
채널 폭: 5 µm
Few-layer (~5 layers)
Multilayer (~10 layers)
특정 두께가 필요한 경우 당사로 문의해 주십시오.

소자 설명 및 특징:
이방성 2차원 반도체: 이황화레늄(ReS₂)은 낮은 대칭성의 Triclinic 결정 구조를 가지는 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMD)로, 면내 이방성 수송 특성을 나타냅니다. 층 의존적 밴드갭: 소수층 ReS₂는 조정 가능한 직접 밴드갭(단일층 기준 ~1.35 eV)을 가지며, 광전자 응용에 사용됩니다. 백게이트 FET 구성: SiO₂/Si 백게이트 구조는 정전 제어 연구에 사용됩니다.
기계적으로 박리한 레이어: 진성 ReS₂ 박막과 우수한 캐리어 이동도를 제공합니다.
금 전극: 저저항 오믹 접촉을 형성하여 전하 주입 효율을 향상시킵니다.

주요 용도:
전계효과 트랜지스터(FET):
이방성 전자 수송 특성을 나타내어 방향 조정이 가능한 나노전자소자를 구현합니다. 유연 및 저전력 전자소자:
ReS₂의 기계적 유연성을 활용하여 웨어러블 및 유연 트랜지스터에 사용됩니다. 광전자 및 포토닉 소자:
광흡수 특성과 직접 밴드갭을 바탕으로 광검출기, 발광체, 광기전력 응용에 사용될 수 있습니다. 양자 수송 및 스핀트로닉스:
층상 구조와 스핀-궤도 결합을 통해 양자 컴퓨팅 및 스핀트로닉스 소자 응용이 가능합니다.

옵션 1

Few-layer (~5 layers), Multilayer (~10 layers)

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