Ag₂Te Crystals
가격 범위: ₩949,232~₩1,082,127Ag₂Te Crystals Ag₂Te는 강한 전자적·광학적·열전적 특성을 지닌 좁은 밴드갭 반도체입니다. 반도체 상태와 금속 상태 사이의 상전이, 높은 열전 성능, 양자 소재 연구 잠재력을 나타냅니…
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Ag₂Te Crystals Ag₂Te는 강한 전자적·광학적·열전적 특성을 지닌 좁은 밴드갭 반도체입니다. 반도체 상태와 금속 상태 사이의 상전이, 높은 열전 성능, 양자 소재 연구 잠재력을 나타냅니…
Ag₃Sb Crystals Ag₃Sb는 독특한 전자적·광학적·열전적 특성을 지닌 금속간화합물입니다. 높은 전기 전도성과 우수한 물성을 나타내며, 열전 및 양자 소재 응용 가능성을 지니고 있습니다. …
AgInP₂S₆ Crystals AgInP₂S₆는 반데르발스 구조를 가진 층상 칼코겐화물 소재로, 독특한 강유전적·반도체적·광학적 특성을 지니고 있습니다. 이 소재는 가변 밴드갭과 강한 광 흡수를 …
AgInP₂Se₆ Crystals AgInP₂Se₆는 반데르발스 구조를 가진 층상 칼코겐화물 소재로, 강유전적·반도체적·광학적 특성으로 잘 알려져 있습니다. 조절 가능한 밴드갭과 광 흡수 특성을 바…
AgTaS₃ Crystals AgTaS₃는 반도체적·광학적 특성을 지닌 삼원계 칼코게나이드 소재입니다. 광 흡수와 이방성 전기적 특성을 나타내어 광전자공학, 에너지 응용, 양자 소재 연구를 지원합니…
Antimony Telluride (Sb₂Te₃) CAS 번호: 1327-50-0 기판 크기: 1 cm x 1 cm 제조 방법: Chemical Vapor Deposition (CVD) 형태 옵션:…
Bi Crystals 비스무트(Bi)는 Rhombohedral 결정 구조를 지닌 반금속으로, 전기적·광학적·열적 특성으로 잘 알려져 있습니다. 높은 이방성, 낮은 열전도도, 자기저항을 나타내어 양자…
Bi₂O₂Se Crystals Bi₂O₂Se는 산화비스무트 층과 셀레늄 층이 결합된 독특한 구조를 가진 층상 반도체 소재입니다. 높은 전자 이동도, 강한 이방성 특성, 우수한 열적 거동을 나타내어 …
Bi₂S₃ Crystals Bi₂S₃(Bismuth Sulfide, 황화비스무트)는 열전, 광전자, 광촉매 특성을 지닌 층상 반도체 소재입니다. 좁은 밴드갭과 흡수 계수를 가지고 있어 광검출기, 열…
Bi₂Se₃ Crystals Bi₂Se₃(Bismuth Selenide, 셀레늄화비스무트)는 Rhombohedral 결정 구조를 지닌 층상 위상 절연체입니다. 강한 스핀-궤도 결합을 나타내어 양자 …
Bi₂Te₃ Crystals Bi₂Te₃(Bismuth Telluride, 텔루륨화비스무트)는 Rhombohedral 결정 구조를 지닌 층상 열전 소재입니다. 제벡 계수, 낮은 열전도도, 이방성 수…
Bi₄Pb₇Se₁₃ Crystals Bi₄Pb₇Se₁₃는 반데르발스 구조를 가진 층상 열전 소재로, 강한 전자적·광학적·열전적 특성을 겸비하고 있습니다. 높은 열전 효율, 강한 스핀-궤도 결합, 구…
BiI₃ Crystals BiI₃는 반데르발스 구조를 지닌 층상 반도체로, 광전자공학, 광기전력, 특수 2D 소재 연구 분야에서의 잠재적 응용 가능성이 연구되고 있습니다. 간접 밴드갭과 우수한 광학…
BiOCl Crystals BiOCl은 독특한 Tetragonal 결정 구조를 지닌 층상 비스무트 기반 옥시할라이드 소재입니다. 높은 광촉매 및 광학적 특성을 바탕으로 BiOCl은 환경 정화, 광전…
BiSe Crystals BiSe는 반데르발스 구조를 가진 층상 소재로, 높은 열전 및 광전자적 특성을 나타냅니다. 독특한 전자 구조와 높은 환경 안정성을 바탕으로 열전 소자, 양자 소재 연구, 특…
Bismuth Oxyselenide (Bi₂O₂Se) CAS 번호: N/A 기판 크기: 1 cm x 1 cm 제조 방법: Chemical Vapor Deposition (CVD) 기판 옵션: Bi₂…
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