Tungsten Disulfide (WS₂)
₩797,352Tungsten Disulfide (WS₂) CAS 번호: 12138-09-9 기판 크기: 1 cm x 1 cm 제조 방법: Chemical Vapor Deposition (CVD) 기판 옵션: W…
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Tungsten Disulfide (WS₂) CAS 번호: 12138-09-9 기판 크기: 1 cm x 1 cm 제조 방법: Chemical Vapor Deposition (CVD) 기판 옵션: W…
Tungsten Disulfide (WS₂) Film on 2-Inch Sapphire Wafer CAS 번호: 12138-09-9 기판 크기: 2-Inch Sapphire Wafer 제조 방법: …
Tungsten Disulfide (WS₂) Film on 4-Inch Sapphire Wafer CAS 번호: 12138-09-9 기판 크기: 4-Inch Sapphire Wafer 제조 방법: …
V-Doped MoSe₂ Crystals V-doped MoSe₂는 반데르발스 구조를 가진 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMDC)입니다. 바나듐 도핑은 자기적 특성을 부여하고 전자 밴드 구조를 변형…
V₂NiSe₄ Crystals V₂NiSe₄는 반데르발스 구조를 가진 층상 전이금속 칼코겐화물로, 전자적·자기적·광학적 특성을 나타냅니다. 전기 전도성, 이방성 특성, 자기적 배열 가능성이 결합되어…
VI₃ Crystals VI₃는 반데르발스 구조를 지니고 고유한 강자성 및 전기적 특성을 나타내는 층상 전이금속 할라이드입니다. 저온에서 장거리 강자성 정렬을 나타내어 스핀트로닉스, 양자 소재 연구…
VS₂ Crystals VS₂는 반데르발스 구조를 지닌 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMDC)로, 금속성 전도성과 전자적·자기적 특성을 나타냅니다. 준2차원 소재인 VS₂는 스핀트로닉스, 촉매 작용…
VSe₂ Crystals VSe₂(Vanadium Diselenide, 이셀레늄화바나듐)는 반데르발스 구조를 지닌 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMD)로, 금속성 전도성, 전자 상관 효과, 전하밀도…
W-Doped MoSe₂ Crystals W-doped MoSe₂는 반데르발스 구조를 가진 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMDC)입니다. 텅스텐 도핑은 전자 밴드 구조, 전하 캐리어 이동도, 광학적…
WS₂ Crystals WS₂는 반데르발스 구조를 가진 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMD)로, 전자적, 광학적, 촉매적 특성을 지닙니다. 단일층 형태에서는 직접 밴드갭(~2.0 eV), 벌크에서는…
WS₂ FET Device 소자 사양: 포장: Single device (1 unit per package) 소자 치수: 1 cm x 1 cm 기판: SiO₂/Si (Silicon with 300 …
WSe₂ Crystals WSe₂(Tungsten Diselenide, 이셀레늄화텅스텐)는 반데르발스 구조와 전자적·광학적·양자적 특성을 지닌 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMD)입니다. 가변 밴드…
WSe₂ FET Device 소자 사양: 포장: Single device (1 unit per package) 소자 치수: 1 cm x 1 cm 기판: SiO₂/Si (Silicon with 300…
WSeTe Crystals WSeTe는 반데르발스 구조를 지닌 층상 전이금속 칼코게나이드 합금으로, 조절 가능한 밴드갭과 위상학적 특성을 나타냅니다. 혼합 칼코게나이드 합금인 WSeTe는 양자 현상…
WSSe Crystals WSSe는 반데르발스 구조와 조절 가능한 밴드갭, 광전자적 특성을 지닌 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMDC) 합금입니다. 혼합 칼코게나이드인 WSSe는 WS₂와 WSe₂의…
WTe₂ Crystals WTe₂(Tungsten Ditelluride, 이텔루륨화텅스텐)는 왜곡된 1T’상 구조를 지닌 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMD)입니다. 타입-II 바일 반금속으로 알려…
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