W-Doped MoSe₂ Single Crystal | TMD

W-Doped MoSe₂ Crystals

※ 원화(KRW) 기준 참고 가격입니다(대한민국 부가가치세 미포함).

W-Doped MoSe₂ Crystals

W-doped MoSe₂는 반데르발스 구조를 가진 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMDC)입니다. 텅스텐 도핑은 전자 밴드 구조, 전하 캐리어 이동도, 광학적·촉매적 특성을 변화시켜 광전자공학, 에너지 저장, 양자 소재 연구를 지원합니다.

샘플 크기 옵션:
Crystals larger than 10 mm²
Crystals larger than 25 mm²
Crystals larger than 100 mm²

재료 특성:
반데르발스 층상 구조: 2D 연구 및 응용을 위한 박막 박리를 용이하게 합니다.
밴드갭 엔지니어링: 텅스텐 도핑을 통해 밴드갭과 전자적 특성을 정밀하게 조정할 수 있습니다.
전하 캐리어 이동도: 광전자 소자에 활용 가능한 전자 수송 특성을 나타냅니다.
광 흡수: 가시광선-적외선 스펙트럼의 빛을 흡수하여 광자 응용에 활용됩니다.

결정 구조:
유형: Hexagonal layered structure
특징: 벽개층을 나타내며 박막 제작 및 나노스케일 소자 연구에 활용 가능합니다.

박리 정도:
사용 편의성: 연구 및 조립을 위해 단일층 또는 소수층 시트로 박리됩니다.

기타 특성:
양자 소재 잠재력: TMDC에서의 양자 수송 및 도핑 유도 효과 탐구에 활용 가능합니다. 에너지 응용: 촉매 응용에는 수소 발생 반응(HER) 및 기타 촉매 공정이 포함됩니다.
가변 광학적 특성: 광검출기, LED, 광전지 소자에 활용 가능합니다.

주요 용도:
광전자공학:
광검출기, 발광 다이오드, 광전지 소자에 활용 가능합니다. 양자 소재 연구:
도핑에 의해 유도된 양자 효과 및 전자 수송 현상 탐구를 지원합니다. 에너지 응용: 수소 발생 반응(HER), 촉매 공정, 에너지 변환 기술에 활용됩니다.
2D 소재 연구:
반데르발스 이종구조 및 박막 소자 조립에 활용 가능합니다. 스핀트로닉스:
스핀 기반 소자 및 도핑된 TMDC의 스핀-궤도 상호작용 탐구에 활용 가능합니다.