Platinum Diselenide (PtSe₂)
₩816,337Platinum Diselenide (PtSe₂) CAS 번호: 12038-26-5 기판 크기: 1 cm x 1 cm 제조 방법: Chemical Vapor Deposition (CVD) 기판 옵션…
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Platinum Diselenide (PtSe₂) CAS 번호: 12038-26-5 기판 크기: 1 cm x 1 cm 제조 방법: Chemical Vapor Deposition (CVD) 기판 옵션…
Platinum Ditelluride (PtTe₂) CAS 번호: 12038-29-8 기판 크기: 1 cm x 1 cm 제조 방법: Chemical Vapor Deposition (CVD) 형태 옵…
PtTe₂ Crystals PtTe₂는 반데르발스 구조를 가진 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMDC)로, 전자적·광학적·촉매적 특성을 나타냅니다. 반금속성 거동과 스핀-궤도 결합을 나타내어 양자 소…
Re-Doped MoSe₂ Crystals Re-doped MoSe₂는 반데르발스 구조를 가진 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMDC)입니다. 레늄 도핑은 n형 전도성을 도입하고 캐리어 거동을 지원하…
Re-Doped WSe₂ Crystals Re-doped WSe₂는 반데르발스 구조를 가진 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMDC)로, WSe₂ 고유의 특성과 레늄 도핑을 통해 변형된 전자적·촉매적 …
ReS₂ Crystals ReS₂(Rhenium Disulfide, 이황화레늄)는 독특한 왜곡된 1T상 구조를 지닌 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMD)로, 면내 이방성, 강한 스핀-궤도 결합, 매…
ReSe₂ Crystals ReSe₂(Rhenium Diselenide, 이셀레늄화레늄)는 왜곡된 1T 구조를 지닌 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMD)로, 면내 이방성, 강한 스핀-궤도 결합, 층…
Rhenium Diselenide (ReSe₂) CAS 번호: 12038-64-1 기판 크기: 1 cm x 1 cm 제조 방법: Chemical Vapor Deposition (CVD) 기판 옵션:…
Rhenium Disulfide (ReS₂) CAS 번호: 12038-63-0 기판 크기: 1 cm x 1 cm 제조 방법: Chemical Vapor Deposition (CVD) 기판 옵션: R…
RuCl₃ Crystals RuCl₃는 반데르발스 구조를 지닌 층상 전이금속 할라이드로, 자기적·전자적 특성을 나타냅니다. 스핀-궤도 결합과 벌집형 격자 구조로 인해 양자 스핀 액체 상태 및 기타 …
Sb₁₆Te₃ Crystals Sb₁₆Te₃는 반데르발스 구조를 지닌 층상 열전 소재로, 열전 및 전자적 특성과 이방성 거동을 나타냅니다. 열전 에너지 변환, 양자 소재 연구, 광전자공학 응용에 사…
Sb₂S₃ Crystals Sb₂S₃는 높은 반도체적·광학적·열전적 특성을 지닌 층상 칼코겐화물 소재입니다. 가시광선 영역에서 강한 흡수, 높은 광전도성, 우수한 환경 거동을 나타내어 광전자공학, …
Sb₂Te Crystals Sb₂Te는 반데르발스 구조를 지닌 층상 열전 소재로, 열전 및 전자적 특성을 나타냅니다. 제벡 계수, 낮은 열전도도, 캐리어 이동도가 에너지 하베스팅, 양자 소재 연구,…
Sb₂Te₂Se Crystals Sb₂Te₂Se는 반데르발스 구조를 가진 층상 위상 절연체로, 전자적·광학적·열전적 특성을 나타냅니다. 시간 반전 대칭성에 의해 보호되는 표면 상태를 나타내며, 양자…
Sb₂Te₃ Crystals Sb₂Te₃는 반데르발스 구조를 가진 층상 위상 절연체이자 열전 소재입니다. 열전 특성, 스핀-궤도 결합, 위상학적으로 보호된 표면 상태를 나타내어 열전 소자, 스핀트로…
Sb₂TeSe₂ Crystals Sb₂TeSe₂는 반데르발스 구조를 지닌 층상 위상 절연체로, 전자적·광학적·열전적 특성을 나타냅니다. 표면 상태, 캐리어 이동도, 가변적인 전자적 특성이 양자 소재…
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