TaCo₂Te₂ Crystals
₩949,232TaCo₂Te₂ Crystals TaCo₂Te₂는 반데르발스 구조를 지닌 층상 전이금속 텔루라이드로, 전자적·광학적·자기적 특성을 나타냅니다. 전기 전도성, 이방성 거동, 위상학적 및 양자 소재 연…
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TaCo₂Te₂ Crystals TaCo₂Te₂는 반데르발스 구조를 지닌 층상 전이금속 텔루라이드로, 전자적·광학적·자기적 특성을 나타냅니다. 전기 전도성, 이방성 거동, 위상학적 및 양자 소재 연…
TaNi₂Te₂ Crystals TaNi₂Te₂는 반데르발스 구조를 지닌 층상 전이금속 텔루라이드로, 전자적·광학적·열전적 특성을 나타냅니다. 전기 전도성, 스핀-궤도 결합, 양자 소재 연구 잠재력…
TaNi₂Te₃ Crystals TaNi₂Te₃는 반데르발스 구조를 지닌 층상 전이금속 텔루라이드로, 전자적·자기적·열전적 특성을 나타냅니다. 전기 전도성, 스핀-궤도 결합, 양자 소재 연구 잠재력…
TaS₂ (1T Phase) Crystals TaS₂(Tantalum Disulfide, 이황화탄탈럼, 1T상)는 전자 상관 효과, 전하밀도파(CDW) 전이, 잠재적 초전도 거동을 나타내는 층상 전…
TaSe₂ Crystals TaSe₂ (2H Phase) Crystals (Tantalum Diselenide) TaSe₂(Tantalum Diselenide, 2H상)는 Hexagonal 결정 구…
TaTe₂ Crystals TaTe₂는 전자적, 광학적, 구조적 특성을 지닌 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMD)입니다. 전하밀도파(CDW) 거동, 스핀-궤도 결합, 이방성 전도성을 나타내어 양자 …
Te Crystals 텔루륨(Te)은 Trigonal 결정 구조를 지닌 반금속성 원소로, 전자, 광전자, 열전 응용에 사용됩니다. 이방성 특성과 열·전기 전도성이 결합되어 연구 및 산업 응용에 활용…
Tin Diselenide (SnSe₂) CAS 번호: 20770-09-6 기판 크기: 1 cm x 1 cm 제조 방법: Chemical Vapor Deposition (CVD) 기판 옵션: SnS…
Tin Disulfide (SnS₂) CAS 번호: 1315-01-1 기판 크기: 1 cm x 1 cm 제조 방법: Chemical Vapor Deposition (CVD) 기판 옵션: SnS₂ 박…
Tin Sulfide (SnS) CAS 번호: 1314-95-0 기판 크기: 1 cm x 1 cm 제조 방법: Chemical Vapor Deposition (CVD) 형태 옵션: Isolated …
TiS₂ Crystals TiS₂(Titanium Disulfide, 이황화타이타늄)는 Hexagonal(1T) 결정 구조를 지닌 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMD)로, 금속성 전도성과 전기화학적…
TiS₃ Crystals TiS₃는 준1차원(1D) 결정 구조를 지닌 층상 전이금속 삼칼코게나이드(TMT)입니다. 이 독특한 구조로 인해 뚜렷한 이방성 광학적·전기적 특성을 나타내어 광전자공학, 에…
TiSe₂ Crystals TiSe₂(Titanium Diselenide, 이셀레늄화타이타늄)는 반데르발스 구조를 지닌 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMD)로, 금속성 전도성, 전하밀도파(CDW) …
Tungsten Diselenide (WSe₂) CAS 번호: 12067-46-8 기판 크기: 1 cm x 1 cm 제조 방법: Chemical Vapor Deposition (CVD) 기판 옵션:…
Tungsten Diselenide (WSe₂) on 2-Inch Sapphire Wafer CAS 번호: 12067-46-8 기판 크기: 2-Inch Sapphire Wafer 제조 방법: Che…
Tungsten Diselenide (WSe₂) on 4-Inch Sapphire Wafer CAS 번호: 12067-46-8 기판 크기: 4-Inch Sapphire Wafer 제조 방법: Che…
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