Tungsten Disulfide (WS₂)
¥93,370Tungsten Disulfide (WS₂) CAS番号: 12138-09-9 基板サイズ: 1 cm x 1 cm 作製方法: Chemical Vapor Deposition (CVD) 基板オプション: W…
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Tungsten Disulfide (WS₂) Film on 2-Inch Sapphire Wafer
¥311,238Tungsten Disulfide (WS₂) Film on 2-Inch Sapphire Wafer CAS番号: 12138-09-9 基板サイズ: 2-Inch Sapphire Wafer 作製方法: Ch…
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Tungsten Disulfide (WS₂) Film on 4-Inch Sapphire Wafer
¥598,246Tungsten Disulfide (WS₂) Film on 4-Inch Sapphire Wafer CAS番号: 12138-09-9 基板サイズ: 4-Inch Sapphire Wafer 作製方法: Ch…
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V-Doped MoSe₂ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥200,081V-Doped MoSe₂ Crystals V-doped MoSe₂ は、層状ファンデルワールス構造の遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)です。バナジウムドーピングにより磁気特性が導入され、電子バンド構造が修飾され…
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V₂NiSe₄ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥126,717V₂NiSe₄ Crystals V₂NiSe₄は、ファンデルワールス構造を持つ層状遷移金属カルコゲナイドであり、電子的・磁気的・光学的特性を示します。電気伝導性、異方性、磁気秩序の可能性を兼ね備え、スピントロニクス、オ…
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VI₃ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥133,386VI₃ Crystals VI₃は、ファンデルワールス構造と固有の強磁性・電子的特性を持つ層状遷移金属ハロゲン化物です。低温で長距離強磁性秩序を示し、スピントロニクス、量子材料研究、2次元材料研究を支えます。VI₃結晶は…
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VS₂ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥126,717VS₂ Crystals VS₂ は、金属的導電性と電子的・磁気的特性を備えた、ファンデルワールス構造を持つ層状遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）です。擬二次元材料として、VS₂ はスピントロニクス、触媒、エネルギー…
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VSe₂ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥222,312VSe₂ Crystals VSe₂（Vanadium Diselenide、セレン化バナジウム）は、ファンデルワールス構造を持つ層状遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）で、金属的導電性、電子相関効果、電荷密度波（CDW…
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W-Doped MoSe₂ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥200,081W-Doped MoSe₂ Crystals W-doped MoSe₂ は、層状ファンデルワールス構造の遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)です。タングステンドーピングにより、電子バンド構造、電荷キャリア移動度、光学…
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WS₂ Crystals
¥111,155WS₂ Crystals WS₂ は、ファンデルワールス構造を持ち、電子的、光学的、触媒的特性を有する層状遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）です。単層形態で直接バンドギャップ（約 2.0 eV）、バルクで間接バンドギャ…
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WS₂ FET Device
¥133,386WS₂ FET Device デバイス仕様： 梱包：単一デバイス（1パッケージあたり1個） デバイス寸法：1 cm x 1 cm 基板：SiO₂/Si（300 nm SiO₂ 層付きシリコン） デバイス構造： SiO₂/…
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WSe₂ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥222,312WSe₂ Crystals WSe₂（Tungsten Diselenide、セレン化タングステン）は、ファンデルワールス構造と電子的・光学的・量子的特性を持つ層状遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）です。可変バンドギャ…
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WSe₂ FET Device
¥133,386WSe₂ FET Device デバイス仕様： 梱包：単一デバイス（1パッケージあたり1個） デバイス寸法：1 cm x 1 cm 基板：SiO₂/Si（300 nm SiO₂ 層付きシリコン） デバイス構造： SiO₂…
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WSeTe Crystals
価格帯: ¥133,386 – ¥200,081WSeTe Crystals WSeTe は、調整可能なバンドギャップとトポロジカル特性を示す、ファンデルワールス構造を持つ層状遷移金属カルコゲナイド合金です。混合カルコゲナイド合金として、WSeTe は量子現象、スピン…
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WSSe Crystals
価格帯: ¥133,386 – ¥200,081WSSe Crystals WSSe は、ファンデルワールス構造を持ち、調整可能なバンドギャップとオプトエレクトロニクス特性を備えた層状遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）合金です。混合カルコゲナイドとして、WSSe …
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WTe₂ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥126,717WTe₂ Crystals WTe₂（Tungsten Ditelluride、二テルル化タングステン）は、歪んだ 1T’ 相構造を持つ層状遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）です。タイプII ワイル半金属として知られ、…