Graphene Transferred onto SiO₂ Substrate (1 cm x 2 cm)
¥48,907Graphene Transferred onto SiO₂ Substrate (1 cm x 2 cm) CAS番号: 7782-42-5 基板サイズ: 1 cm x 2 cm 作製方法: グラフェン膜を化学気相成長…
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Graphene Transferred onto SiO₂ Substrate (2 cm x 2 cm)
¥64,469Graphene Transferred onto SiO₂ Substrate (2 cm x 2 cm) CAS番号: 7782-42-5 基板サイズ: 2 cm x 2 cm 作製方法: グラフェン膜を化学気相成長…
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Graphene-Coated Copper Wire (Per Meter)
¥71,138Graphene-Coated Copper Wire (Per Meter) CAS番号: 7782-42-5 製品寸法: カスタム長さでご用意可能です。価格は1メートルあたりで表示しています。 作製方法: グラフェン…
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Hexagonal Boron Nitride (h-BN) Grown on Copper Foil (10 cm x 10 cm)
¥200,081Hexagonal Boron Nitride (h-BN) Grown on Copper Foil (10 cm x 10 cm) CAS番号: 10043-11-5 作製方法: Hexagonal Boron Ni…
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Hexagonal Boron Nitride (h-BN) Grown on Copper Foil (5 cm x 10 cm)
¥155,618Hexagonal Boron Nitride (h-BN) Grown on Copper Foil (5 cm x 10 cm) CAS番号: 10043-11-5 作製方法: Hexagonal Boron Nit…
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Hexagonal Boron Nitride (h-BN) Grown on Copper Foil (5 cm x 5 cm)
¥111,155Hexagonal Boron Nitride (h-BN) Grown on Copper Foil (5 cm x 5 cm) CAS番号: 10043-11-5 作製方法: 六方晶窒化ホウ素（h-BN）薄膜は、化学…
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Hexagonal Boron Nitride (h-BN) Transferred onto PET Substrate (1 cm x 1 cm)
¥48,907Hexagonal Boron Nitride (h-BN) Transferred onto PET Substrate (1 cm x 1 cm) CAS番号: 10043-11-5 作製方法: Hexagonal …
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Hexagonal Boron Nitride (h-BN) Transferred onto Quartz Substrate (1 cm x 1 cm)
¥48,907Hexagonal Boron Nitride (h-BN) Transferred onto Quartz Substrate (1 cm x 1 cm) CAS番号: 10043-11-5 作製方法: Hexagon…
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Hexagonal Boron Nitride (h-BN) Transferred onto Sapphire Substrate (1 cm x 1 cm)
¥48,907Hexagonal Boron Nitride (h-BN) Transferred onto Sapphire Substrate (1 cm x 1 cm) CAS番号: 10043-11-5 作製方法: Hexag…
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Hexagonal Boron Nitride (h-BN) Transferred onto SiO₂ Substrate (1 cm x 1 cm)
¥48,907Hexagonal Boron Nitride (h-BN) Transferred onto SiO₂ Substrate (1 cm x 1 cm) CAS番号: 10043-11-5 作製方法: Hexagonal…
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HfS₂ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥222,312HfS₂ Crystals HfS₂ は、ファンデルワールス構造を持つ層状遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）であり、電子的、光学的、触媒的特性を有します。間接バンドギャップ半導体として、高いキャリア移動度、強い光吸収、…
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HfS₃ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥126,717HfS₃ Crystals HfS₃ は、擬一次元(1D)構造を持つ層状遷移金属三カルコゲン化物(TMT)です。独自の異方性電子特性・光学特性を示し、光電子工学、2次元材料研究、エネルギー貯蔵用途に有望な材料です。当社の…
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HfSe₂ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥222,312HfSe₂ Crystals HfSe₂ は、ファンデルワールス構造を持つ層状遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）であり、優れた電子的、光学的、触媒的特性を有します。間接バンドギャップ半導体として、HfSe₂ は高いキャ…
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HfTe₂ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥266,775HfTe₂ Crystals HfTe₂は、ファンデルワールス構造を持つ層状の遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）で、半金属特性、強いスピン軌道相互作用、高い環境安定性を示します。量子研究、オプトエレクトロニクスデバイ…
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HfTe₅ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥222,312HfTe₅ Crystals HfTe₅ は、強い電子的・光学的・熱的特性を持つ層状の遷移金属ペンタテルライドです。準二次元構造を持つ HfTe₅ は、カイラル異常などの独自の量子輸送現象を示し、量子材料研究、熱電応用、…
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HgPSe₃ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥126,717HgPSe₃ Crystals HgPSe₃ は、遷移金属チオホスファート系に属する層状ファンデルワールス材料です。独自の半導体特性および光学特性を示し、光電子工学、エネルギー貯蔵、2次元材料研究に有望な材料です。当社の…