Mechanically Exfoliated ReS₂ FET Device
¥129,501Mechanically Exfoliated ReS₂ FET Device ReS₂ FET (Back-Gated ReS₂ FET) デバイス構造: Au Electrodes / ReS₂ / 300 nm S…
結果の113~128/249を表示しています
Mechanically Exfoliated ReS₂ FET Device ReS₂ FET (Back-Gated ReS₂ FET) デバイス構造: Au Electrodes / ReS₂ / 300 nm S…
Mechanically Exfoliated ReSe₂ FET Device ReSe₂ FET (Back-Gated ReSe₂ FET) デバイス構造: Au Electrodes / ReSe₂ / 300 …
Mechanically Exfoliated WS₂ FET Device WS₂ FET (Back-Gated WS₂ FET) デバイス構造: Au Electrodes / WS₂ / 300 nm SiO₂ …
MnBi₂Se₄ Crystals MnBi₂Se₄ は、磁気秩序とトポロジカル表面状態を併せ持つ層状ファンデルワールス構造の磁性トポロジカル絶縁体です。強いスピン軌道相互作用、安定した磁気的相互作用、高い環境安定性とい…
MnBi₄Se₇ Crystals MnBi₄Se₇は、ファンデルワールス構造を持つ層状磁性トポロジカル材料であり、トポロジカル表面状態とマンガンによって導入される固有の磁気秩序を併せ持ちます。この組み合わせにより、量子…
MnBi₄Te₇ Crystals MnBi₄Te₇は、ファンデルワールス構造を持つ層状磁性トポロジカル材料であり、固有の磁気的特性とトポロジカル表面状態を併せ持ちます。スピントロニクス、量子材料研究、凝縮系物理学研究の…
MnPS₃ Crystals MnPS₃ は、ファンデルワールス構造を持つ層状磁性半導体であり、反強磁性秩序と強い異方性を示します。低次元磁性、スピントロニクス、2次元材料応用の研究に適した優れた材料です。当社の MnP…
MnPSe₃ Crystals MnPSe₃ は、ファンデルワールス構造を持つ層状反強磁性半導体であり、強い面内磁気異方性と優れた半導体特性を有します。ネール型反強磁性秩序を示し、スピントロニクス、量子磁性研究、2次元材…
MnSb₂Te₄ Crystals MnSb₂Te₄ は、独自の磁気秩序と安定したトポロジカル表面状態を兼ね備えた層状ファンデルワールス構造の磁性トポロジカル絶縁体です。量子現象、スピントロニクス、特殊な磁気電子応用の探…
Mo-Doped WSe₂ Crystals (25% Molybdenum Doping) Mo-doped WSe₂ は、WSe₂ が本来持つ特性にモリブデンドーピングによる機能強化を組み合わせた、層状ファンデルワー…
Mo₀.₇₅W₀.₂₅Se₂ Crystals Mo₀.₇₅W₀.₂₅Se₂は、ファンデルワールス構造を持つ層状の遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)合金です。モリブデンとタングステンを3:1の比率で合金化することで、…
Mo₀.₉₅W₀.₀₅Se₂ Crystals Mo₀.₉₅W₀.₀₅Se₂は、ファンデルワールス構造を持つ層状の遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)合金です。モリブデンをタングステンで置換ドープすることで、バンドギャ…
Molybdenum Diselenide (MoSe₂) CAS番号: 12058-18-3 基板サイズ: 1 cm x 1 cm 作製方法: Chemical Vapor Deposition (CVD) 基板オプシ…
Molybdenum Diselenide (MoSe₂) on 2-Inch Sapphire Wafer CAS番号: 12058-18-3 基板サイズ: 2-Inch Sapphire Wafer 作製方法: Ch…
Molybdenum Disulfide (MoS₂) CAS番号: 1317-33-5 基板サイズ: 1 cm x 1 cm 作製方法: Chemical Vapor Deposition (CVD) 基板オプション:…
Molybdenum Disulfide (MoS₂) Film on 2-Inch Sapphire Wafer CAS番号: 1317-33-5 基板サイズ: 2-Inch Sapphire Wafer 作製方法: …
カートに商品がありません。
お見積もりをご希望の場合は、下記のフォームにご記入ください。通常1営業日以内にお見積もりをお送りします。