TaCo₂Te₂ Crystals
¥111,155TaCo₂Te₂ Crystals TaCo₂Te₂ は、ファンデルワールス構造を持つ層状遷移金属テルル化物であり、電子的・光学的・磁気的特性を示します。電気伝導性、異方性挙動、そしてトポロジカル特性や量子材料研究への応…
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TaCo₂Te₂ Crystals TaCo₂Te₂ は、ファンデルワールス構造を持つ層状遷移金属テルル化物であり、電子的・光学的・磁気的特性を示します。電気伝導性、異方性挙動、そしてトポロジカル特性や量子材料研究への応…
TaNi₂Te₂ Crystals TaNi₂Te₂ は、ファンデルワールス構造を持つ層状遷移金属テルル化物であり、電子的・光学的・熱電的特性を示します。その電気伝導性、スピン軌道相互作用、および量子材料研究への応用可能…
TaNi₂Te₃ Crystals TaNi₂Te₃ は、ファンデルワールス構造を持つ層状遷移金属テルル化物であり、電子的・磁気的・熱電的特性を示します。その電気伝導性、スピン軌道相互作用、および量子材料研究への応用可能…
TaS₂ (1T Phase) Crystals TaS₂(Tantalum Disulfide, 1T phase、二硫化タンタル、1T相)は、電子相関効果、電荷密度波(CDW)転移、超伝導発現の可能性を示す層状遷移金…
TaSe₂ Crystals TaSe₂ (2H Phase) Crystals (Tantalum Diselenide) TaSe₂(Tantalum Diselenide, 2H phase)は、Hexagonal…
TaTe₂ Crystals TaTe₂ は、電子的、光学的、構造的特性を有する層状遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)です。電荷密度波(CDW)挙動、スピン軌道相互作用、異方性伝導性を示し、量子材料研究、スピントロニク…
Te Crystals テルル(Te)はTrigonal構造を有する半金属元素であり、電子、オプトエレクトロニクス、熱電応用に用いられます。その異方性特性は熱伝導性・電気伝導性と相まって、研究および産業用途への利用を支え…
Tin Diselenide (SnSe₂) CAS番号: 20770-09-6 基板サイズ: 1 cm x 1 cm 作製方法: Chemical Vapor Deposition (CVD) 基板オプション: SnS…
Tin Disulfide (SnS₂) CAS番号: 1315-01-1 基板サイズ: 1 cm x 1 cm 作製方法: Chemical Vapor Deposition (CVD) 基板オプション: SnS₂ 薄…
Tin Sulfide (SnS) CAS番号: 1314-95-0 基板サイズ: 1 cm x 1 cm 作製方法: 化学気相成長法(CVD) 形態オプション: 孤立結晶粒 Continuous Multilayer …
TiS₂ Crystals TiS₂(Titanium Disulfide、二硫化チタン)は、Hexagonal(1T相)結晶構造を持つ層状遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)で、金属的導電性と電気化学的特性を示します。…
TiS₃ Crystals TiS₃ は、擬一次元(1D)の結晶構造を持つ層状遷移金属トリカルコゲナイド(TMT)です。この独自の構造により顕著な異方性の光学的・電気的特性を示し、オプトエレクトロニクス、エネルギー貯蔵、…
TiSe₂ Crystals TiSe₂(Titanium Diselenide、二セレン化チタン)は、ファンデルワールス構造を持つ層状遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)で、金属的導電性、電荷密度波(CDW)転移、低温…
Tungsten Diselenide (WSe₂) CAS番号: 12067-46-8 基板サイズ: 1 cm x 1 cm 作製方法: Chemical Vapor Deposition (CVD) 基板オプション:…
Tungsten Diselenide (WSe₂) on 2-Inch Sapphire Wafer CAS番号: 12067-46-8 基板サイズ: 2-Inch Sapphire Wafer 作製方法: Chemi…
Tungsten Diselenide (WSe₂) on 4-Inch Sapphire Wafer CAS番号: 12067-46-8 基板サイズ: 4-Inch Sapphire Wafer 作製方法: Chemi…
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