HOPG
¥106,709HOPGは、高度に配向した層構造を持つ高純度グラファイトであり、グラフェン剥離や専門的な研究用途に適した材料です。高い結晶性と層の均一性により、高品質なグラフェンシートの安定した作製が可能です。当社のHOPGサンプルは高…
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In₂GaBi₂S₆ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥126,717In₂GaBi₂S₆ Crystals In₂GaBi₂S₆は、ファンデルワールス構造を持つ層状カルコゲナイド材料であり、独自の半導体特性とオプトエレクトロニクス特性を兼ね備えています。強い光吸収、可変バンドギャップ、高…
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In₂P₃S₉ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥244,544In₂P₃S₉ Crystals In₂P₃S₉は、ファンデルワールス構造を持つ層状チオホスフェート材料であり、独自の半導体特性と光学特性を示します。高い光吸収、可変バンドギャップ、高い安定性を持つことから、オプトエレク…
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In₂P₃Se₉ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥126,717In₂P₃Se₉ Crystals In₂P₃Se₉は、ファンデルワールス構造を持つ層状の三元系カルコゲナイド材料です。半導体特性、強い光吸収、高い環境安定性を示し、オプトエレクトロニクス、エネルギー貯蔵、2D材料研究に…
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In₂Se₃ Crystals (α-2H Phase)
価格帯: ¥111,155 – ¥200,081In₂Se₃ Crystals (α-2H Phase) In₂Se₃ は、ファンデルワールス構造を持つ層状半導体であり、可変的な電子特性、相依存の挙動、強誘電特性を有する材料として知られています。In₂Se₃ の α-…
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In₂Te₅ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥126,717In₂Te₅ Crystals In₂Te₅ は、ファンデルワールス構造を持つ層状半導体材料であり、独自の電子的・光学的・熱電的特性を有します。その異方性特性と狭バンドギャップにより、光電子工学、エネルギー貯蔵、量子材料…
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In₃SbTe₂ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥126,717In₃SbTe₂ Crystals In₃SbTe₂は、独自の電子的・光学的・熱電特性を持つ層状三元カルコゲナイド材料です。強い熱電性能、可変的な電子的挙動、層状構造を持つことから、専門的な材料研究、エネルギー用途、2次…
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InBi Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥126,717InBi Crystals InBi は、独自の電子的・熱的・光学的特性を持つ二元系金属間化合物です。その高い電気伝導性、低い熱伝導率、および半金属的特性により、量子材料研究、光電子工学、熱電用途に適した優れた材料となっ…
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InBiSe₃ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥200,081InBiSe₃ Crystals InBiSe₃は、ファンデルワールス構造を持つ層状三元カルコゲナイド材料であり、独自の電子的・光学的・熱的特性を示します。可変バンドギャップと強い異方性挙動を備え、InBiSe₃はオプト…
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InGaS₃ Crystals
¥111,155InGaS₃ Crystals InGaS₃は、ファンデルワールス構造、半導体特性、光吸収を備えた三元層状カルコゲナイド材料です。その電子的・光学的挙動は、オプトエレクトロニクス、エネルギー応用、2次元材料研究向けに調整…
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InSb Crystals
価格帯: ¥133,386 – ¥152,061InSb Crystals InSb は、強い電子的・光学的・熱電的特性を持つ狭バンドギャップ半導体です。その高い電子移動度、強い赤外線感度、および低い熱伝導率により、赤外線検出器、高速エレクトロニクス、量子材料研究に適…
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InSe Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥200,081InSe Crystals InSe（γ相 Indium Selenide、セレン化インジウム）は、光電子特性、電子特性、熱電特性を示す層状ファンデルワールス半導体です。可変バンドギャップ、高キャリア移動度、強い光吸収を…
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InSiTe₃ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥126,717InSiTe₃ Crystals InSiTe₃は、ファンデルワールス構造を持つ層状カルコゲナイド材料であり、独自の電子的・光学的・熱電特性を備えています。可変バンドギャップ、高い熱電性能、高い安定性を持つことから、オプ…
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Mechanically Exfoliated Black Phosphorus FET Device
¥133,386Mechanically Exfoliated Black Phosphorus FET Device Black Phosphorus (BP) FET Device デバイス構造： Highly Doped Cond…
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Mechanically Exfoliated HfS₂ FET Device
¥133,386Mechanically Exfoliated HfS₂ FET Device デバイス構造： Au Electrodes / HfS₂ / 300 nm SiO₂ / Si Back-Gated FET HfS₂ 層数…
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Mechanically Exfoliated Monolayer Graphene FET
¥133,386Mechanically Exfoliated Monolayer Graphene FET デバイス構造： Highly Doped Conductive Si Substrate / 300 nm SiO₂ Laye…