Magnesium Oxide (MgO) Single Crystal Wafers
가격 범위: ₩1,159,966~₩1,456,132Magnesium Oxide (MgO) Single Crystal Wafer 물리적 특성: – 결정 구조: Cubic System – 격자 상수: a = 4.216 Angstrom – 밀도: 3.5…
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Magnesium Oxide (MgO) Sputtering Target, 99.99% Purity, Circular
가격 범위: ₩666,355~₩1,431,452Magnesium Oxide (MgO) Sputtering Target, 99.99% Purity, Circular ZHC LAB의 Magnesium Oxide (MgO) 스퍼터링 타겟은 마그네트론…
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Manganese (Mn) Pellets, 99.8% Purity
가격 범위: ₩244,888~₩284,756Manganese (Mn) Pellets, 99.8% Purity Nanostore Manganese (Mn) 펠릿은 박막 증착 연구, 증발 소스 로딩, 합금 제조, 실험실 재료 개발용으로 공급되는…
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Manganese (Mn) Sputtering Target, 99.9% Purity, Circular
가격 범위: ₩529,663~₩2,114,913Manganese (Mn) Sputtering Target, 99.9% Purity, Circular ZHC LAB의 Manganese (Mn) 스퍼터링 타겟은 마그네트론 스퍼터링, 이온 스퍼터링,…
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Manganese Dioxide (MnO₂) Evaporation Pellets, 99.99% Purity
가격 범위: ₩294,249~₩613,197Manganese Dioxide (MnO₂) Evaporation Pellets, 99.99% Purity Nanostore Manganese Dioxide (MnO₂) 증발 펠릿은 증발 코팅, 박…
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Manganese Dioxide (MnO₂) Sputtering Target, 99.99% Purity, Circular
가격 범위: ₩751,788~₩1,822,543Manganese Dioxide (MnO₂) Sputtering Target, 99.99% Purity, Circular Nanostore의 Manganese Dioxide (MnO₂) 스퍼터링 타…
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Manganese Monoxide (MnO) Single Crystal Substrate | Price on Request
가격 문의Manganese Monoxide (MnO) Single Crystal Substrate 물리적 특성: – 결정 구조: Cubic System – 격자 상수: a = 4.43 Angstrom – 융…
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Manganese Selenide (MnSe) Sputtering Target, 99.9% Purity, Mn:Se 1:1 at%, Circular
₩2,481,324Manganese Selenide (MnSe) Sputtering Target, 99.9% Purity, Mn:Se 1:1 at%, Circular Nanostore의 Manganese Seleni…
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Manganese Telluride Alloy (MnTe) Sputtering Target, 99.9% Purity, Mn:Te = 1:1.3 at%, Circular (Price Upon Request)
가격 문의Manganese Telluride Alloy (MnTe) Sputtering Target, 99.9% Purity, Mn:Te = 1:1.3 at%, Circular (Price Upon Requ…
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Manual Vacuum Suction Pen (SMT72-ESD)
₩89,211Manual Vacuum Suction Pen (SMT72-ESD) 용도: 실험실 정밀 작업 및 SMT 조립에 사용하도록 설계되었습니다. 전자 부품, 렌즈, 칩을 직접 접촉 없이 집어 올려 오염과 …
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Mechanically Exfoliated Black Phosphorus FET Device
₩1,139,082Mechanically Exfoliated Black Phosphorus FET Device 흑린(BP) FET 소자 소자 구조: 고농도 도핑 전도성 Si 기판 / 300 nm SiO₂ 층 / Au…
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Mechanically Exfoliated HfS₂ FET Device
₩1,139,082Mechanically Exfoliated HfS₂ FET Device 소자 구조: Au Electrodes / HfS₂ / 300 nm SiO₂ / Si Back-Gated FET HfS₂ 층 옵…
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Mechanically Exfoliated Monolayer Graphene FET
₩1,139,082Mechanically Exfoliated Monolayer Graphene FET 소자 구조: 고농도 도핑 전도성 Si 기판 / 300 nm SiO₂ 층 / 단일층 그래핀 / Cr+Au 전극 소자…
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Mechanically Exfoliated ReS₂ FET Device
₩1,139,082Mechanically Exfoliated ReS₂ FET Device ReS₂ FET (백게이트 ReS₂ FET) 소자 구조: Au 전극 / ReS₂ / 300 nm SiO₂ / Si 백게이트 F…
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Mechanically Exfoliated ReSe₂ FET Device
₩1,139,082Mechanically Exfoliated ReSe₂ FET Device ReSe₂ FET (백게이트 ReSe₂ FET) 소자 구조: Au 전극 / ReSe₂ / 300 nm SiO₂ / Si 백게…
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Mechanically Exfoliated WS₂ FET Device
₩1,139,082Mechanically Exfoliated WS₂ FET Device WS₂ FET (백게이트 WS₂ FET) 소자 구조: Au 전극 / WS₂ / 300 nm SiO₂ / Si 백게이트 FET W…