Tin Disulfide (SnS₂)

816,337

※ 원화(KRW) 기준 참고 가격입니다(대한민국 부가가치세 미포함).

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Tin Disulfide (SnS₂)

CAS 번호: 1315-01-1

기판 크기: 1 cm x 1 cm

제조 방법: Chemical Vapor Deposition (CVD)

기판 옵션:
SnS₂ 박막은 사파이어 기판 위에 직접 성장됩니다. 다른 기판으로의 맞춤 전사도 요청 시 가능합니다. Custom Products 페이지를 방문하시거나 문의해 주시기 바랍니다.

기본 특성:
Tin sulfide (SnS₂)는 육방정 결정 구조를 갖는 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMD)입니다. 벌크 형태에서는 약 2.1 eV의 간접 밴드갭을 갖는 반도체성 거동을 나타내며, 단일층에서는 직접 밴드갭을 나타내어 SnS₂의 광전자 및 광기전력 응용을 지원합니다. SnS₂는 환경 안정성을 갖추고 있으며, 제조 용이성과 원료의 풍부함이 주요 소재 특성으로 꼽힙니다. 층상 구조 덕분에 박리 및 나노스케일 소자로의 집적이 가능하며, 광응답성 덕분에 센싱 및 집광 기술에 사용됩니다.

주요 용도:
광전자공학: 단일층 SnS₂의 직접 밴드갭 덕분에 광검출기, 태양전지, LED에 사용됩니다.
전자소자: SnS₂는 반도체성 특성과 기계적 유연성 덕분에 박막 트랜지스터(TFT)용 소재로 사용됩니다.
센서: SnS₂ 기반 소자는 가스 및 화학 센싱에서 민감도와 선택성을 나타냅니다. 에너지 응용: SnS₂는 물 분해용 광촉매 및 배터리·슈퍼커패시터용 전극 재료로 사용됩니다.
촉매작용: 층상 구조와 화학적 특성 덕분에 SnS₂는 다양한 화학 반응의 촉매 후보 물질로 꼽힙니다.

옵션 1

Continuous Multilayer Film, Isolated Crystallites

옵션 2

Sapphire (Double-Side Polished), Sapphire (Single-Side Polished)