CVD 2D薄膜

Molybdenum Diselenide (MoSe₂)

¥95,593

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説明
追加情報

Molybdenum Diselenide (MoSe₂)

CAS番号: 12058-18-3

基板サイズ: 1 cm x 1 cm

作製方法: Chemical Vapor Deposition (CVD)

基板オプション:
MoSe₂ 薄膜は、単層または数層のいずれの形態も、サファイアウェハー上に直接成長させます。他の基板への転写にも対応可能です。詳細は Custom Products ページをご覧いただくか、直接お問い合わせください。

基本物性:
二セレン化モリブデン (MoSe₂) は、層状構造、面内共有結合、および記載の機械的・化学的特性を持つ遷移金属ダイカルコゲナイドです。単層形態では、MoSe₂ は約 1.55 eV の直接バンドギャップを示し、光の吸収・発光を可能にすることから、オプトエレクトロニクスデバイスに用いられます。一方、多層およびバルク形態の MoSe₂ は約 1.1 eV の間接バンドギャップを持ちます。MoSe₂ の電子構造は層数依存の特性チューニングを可能にし、フレキシブルエレクトロニクスやフォトニクスを支えます。MoSe₂ はまた、スピン軌道相互作用とバレー分極を示し、スピントロニクスおよびバレートロニクス用途を支えます。そのキャリア移動度と環境安定性は、記載の各用途を支えています。

主な用途:
MoSe₂ 薄膜は、以下を含む記載の用途に用いられます。
オプトエレクトロニクス: 単層 MoSe₂ は、その直接バンドギャップと光・物質相互作用により、発光ダイオード、光検出器、太陽電池に用いられます。
マイクロエレクトロニクス: MoSe₂ の薄層は、オン/オフ比とキャリア移動度を備えた電界効果トランジスタ (FET) のチャネル材料として機能します。エネルギー貯蔵と触媒: MoSe₂ は、水素発生反応 (HER) の活性材料およびリチウムイオン電池の電極として研究されています。
量子技術: そのバレートロニクス特性は、量子コンピューティングおよび通信システムへの応用を支えます。

オプション1	Continuous Monolayer Film, Continuous Multilayer Film, Monolayer Triangles
オプション2	Sapphire (Double-Side Polished), Sapphire (Single-Side Polished)