Nb₂SiTe₄ Crystals
価格帯: ¥111,155 – ¥126,717Nb₂SiTe₄ Crystals Nb₂SiTe₄ は、半導体特性・光学特性・電子特性を兼ね備えた層状ファンデルワールス構造の遷移金属テルル化物です。その異方性および熱的挙動は、量子材料研究、オプトエレクトロニクス、エ…
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Nb₂SiTe₄ Crystals Nb₂SiTe₄ は、半導体特性・光学特性・電子特性を兼ね備えた層状ファンデルワールス構造の遷移金属テルル化物です。その異方性および熱的挙動は、量子材料研究、オプトエレクトロニクス、エ…
Nb₃GeTe₆ Crystals Nb₃GeTe₆は、独自の電子的・光学的・熱的特性を持つ層状ファンデルワールス材料です。遷移金属テルル化物として、高い伝導性、強い異方性、可変的な電子的挙動を示すことから、オプトエレク…
NbReS₄ Crystals NbReS₄ は、電子的・光学的・触媒的特性を示す層状構造の遷移金属カルコゲナイドです。ニオブとレニウムの組み合わせにより、可変電子特性、スピン軌道相互作用、触媒応用への利用が可能になりま…
NbS₂ (3R Phase) Crystals NbS₂(Niobium Disulfide, 3R Phase、二硫化ニオブ、3R相)は、ファンデルワールス構造を持つ層状遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)です。超伝…
NbSe₂ Crystals NbSe₂(Niobium Diselenide、セレン化ニオブ)は、超伝導特性と電荷密度波(CDW)挙動の両方を示す層状遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)です。ナノエレクトロニクス、スピ…
NbTe₂ Crystals NbTe₂は、ファンデルワールス構造を持つ層状の遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)で、電子的・光学的特性を示します。半金属特性、強いスピン軌道相互作用、剥離のしやすさにより、量子材料研究…
NbTe₄ Crystals NbTe₄は、独自の電子的・光学的・熱的特性を持つ擬一次元(1D)遷移金属テルル化物です。高い異方性構造と高い伝導性により、量子材料研究、オプトエレクトロニクス、エネルギー貯蔵用途に有望な材…
Ni-Doped MoSe₂ Crystals Ni-doped MoSe₂ は、層状ファンデルワールス構造の遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)です。ニッケルドーピングにより局所的な磁気モーメントが導入され、電子特性…
Ni₂Bi₂Te₅ Crystals Ni₂Bi₂Te₅は、ファンデルワールス構造を持つ層状トポロジカル材料であり、安定した電子的特性とニッケルによって導入される磁気秩序を併せ持ちます。この材料は、量子材料研究、スピント…
Ni₂SiTe₄ Crystals Ni₂SiTe₄は、ファンデルワールス構造を持つ層状の三元系テルル化物材料で、独自の電子・光学・熱電特性を備えています。半導体特性、強いスピン軌道相互作用、高い熱的安定性により、量子研…
NiBi₂Te₄ Crystals NiBi₂Te₄は、安定したトポロジカル表面状態とニッケルによって導入される固有の磁気秩序を併せ持つ層状磁性トポロジカル絶縁体です。この材料は、専門的な量子材料研究、スピントロニクス、…
Nickel Ditelluride (NiTe₂) 孤立結晶粒 CAS番号: 12034-83-2 作製方法: Chemical Vapor Deposition (CVD) 基板オプション: NiTe₂ の孤立結晶粒…
NiCoSe₂ Crystals NiCoSe₂は、独自の電子的・磁気的・触媒特性を持つ層状遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)です。高い電気伝導性、強い光吸収特性を示し、触媒作用やエネルギー貯蔵を含むエネルギー関連用…
NiI₂ Crystals NiI₂は、ファンデルワールス構造を持つ層状遷移金属ハロゲン化物であり、独自の磁気的・電子的特性を備えています。反強磁性秩序と異方性挙動を示し、スピントロニクス、量子材料研究、専門的な2次元材…
NiI₃ Crystals NiI₃ は、独自の磁気的・電子的特性を持つ、ファンデルワールス構造の層状遷移金属ハロゲン化物です。二次元材料として、NiI₃ は反強磁性秩序を示し、量子材料研究、スピントロニクス、特殊な2D…
NiPS₃ Crystals NiPS₃ は、ファンデルワールス構造と異方性の磁気的・電子的特性を持つ層状反強磁性半導体です。ネール型反強磁性秩序を示し、スピントロニクス、2次元磁性研究、量子材料研究を支えます。NiPS…
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