Bismuth Oxyselenide (Bi₂O₂Se)

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설명
추가 정보

Bismuth Oxyselenide (Bi₂O₂Se)

CAS 번호: N/A

기판 크기: 1 cm x 1 cm

제조 방법: Chemical Vapor Deposition (CVD)

기판 옵션:
Bi₂O₂Se 박막은 운모 또는 사파이어 기판 위에 직접 성장됩니다. 다른 기판으로의 맞춤 전사도 요청 시 가능하며, Custom Products 페이지를 방문하시거나 문의해 주시기 바랍니다.

기본 특성:
Bismuth Oxyselenide (Bi₂O₂Se)는 Orthorhombic 결정 구조를 가진 층상 화합물로, 이차원(2D) 반도체입니다. Bi₂O₂Se는 벌크 상태에서 약 0.8 eV의 넓은 밴드갭을 나타내며, 초박막 상태에서는 밴드갭 조절이 가능합니다. 상온에서 최대 약 450 cm²/V-s의 캐리어 이동도와 환경 안정성을 가지며, 이는 이 2D 반도체의 특성입니다. Bi₂O₂Se는 전기전도성과 낮은 열전도도를 겸비하고 있어 전자소자, 열전, 광전자 분야에 사용됩니다. 고유한 안정성과 대면적 제조 공정과의 호환성은 소자 집적 응용을 지원합니다.

주요 용도:
전자소자: 캐리어 이동도와 안정성은 Bi₂O₂Se를 전계효과 트랜지스터(FET) 및 기타 전자소자에 활용할 수 있게 합니다.
광전자소자: Bi₂O₂Se의 반도체 특성은 광검출기 및 발광소자에 사용됩니다.
열전 소자: 전기적 특성과 열적 특성의 조합은 열전 발전 및 냉각 응용에 활용됩니다.
센서: Bi₂O₂Se 기반 센서는 가스 및 화학물질 검출에 대한 민감도와 응답성을 나타냅니다.
– 에너지 응용: Bi₂O₂Se는 안정성과 전기적 특성으로 인해 에너지 변환 및 저장 소자로 연구되고 있습니다

옵션 1	2 nm thin Films, 20 nm thin Films, 5 nm thin Films, Isolated Crystallites
옵션 2	Mica, Sapphire (Double-Side Polished), Sapphire (Single-Side Polished)