WSe₂ FET Device

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説明
追加情報

WSe₂ FET Device

デバイス仕様：

梱包：単一デバイス（1パッケージあたり1個）
デバイス寸法：1 cm x 1 cm
基板：SiO₂/Si（300 nm SiO₂ 層付きシリコン）

デバイス構造：
SiO₂/Si Substrate / WSe₂ Channel / Au or Cr+Au Electrodes

デバイスの説明と特長：
WSe₂ 層状2次元半導体：Tungsten diselenide (WSe₂) は層数に依存したバンドギャップ（単層：直接バンドギャップ約1.6 eV、多層：間接バンドギャップ）を持つ層状遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）であり、電子デバイスおよびオプトエレクトロニクスをサポートします。バックゲート型FET構成：SiO₂/Si 基板がグローバルバックゲートとして機能し、WSe₂ チャネルへの静電制御を実現します。安定したp型または両極性伝導：WSe₂ は、ドーピング、コンタクトエンジニアリング、ゲート電圧の調整により、p型または両極性トランジスタとして機能します。機械的剥離またはCVD成長 WSe₂：電子特性の研究に用いられます。
オーミックコンタクトエンジニアリング：Au または Cr+Au 電極により低抵抗の金属コンタクトが得られ、電荷注入をサポートします。

主な用途：
電界効果トランジスタ（FET）：
調整可能な電子特性により、低消費電力エレクトロニクスをサポートします。フレキシブルおよび透明エレクトロニクス：
ウェアラブルエレクトロニクス、透明回路、フレキシブルトランジスタに適用できます。オプトエレクトロニクス・光検出器

用途：
光と物質の相互作用により、光検出器、LED、光起電力デバイスへの応用が可能です。スピントロニクスおよび量子輸送：
WSe₂ のスピン軌道相互作用により、スピントロニクスおよび量子コンピューティングデバイスへの応用が可能です。