WSe₂ Crystals

WSe₂ Crystals

WSe₂（Tungsten Diselenide、セレン化タングステン）は、ファンデルワールス構造と電子的・光学的・量子的特性を持つ層状遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）です。可変バンドギャップ、スピン軌道相互作用、キャリア移動度を示し、ナノエレクトロニクス、光電子デバイス、スピントロニクス、量子コンピューティングへの応用を可能にします。WSe₂ 結晶は Chemical Vapor Transport (CVT) 法により合成されます。

サンプルサイズオプション：
Crystals larger than 10 mm²
Crystals larger than 25 mm²
Crystals larger than 100 mm²

材料特性：
層状ファンデルワールス構造：2D材料研究向けの単層または数層ナノシートへの剥離を可能にします。
可変バンドギャップ：バルクでは間接バンドギャップ（約 1.2 eV）、単層では直接バンドギャップ（約 1.65 eV）を示し、光電子用途に適用できます。
キャリア移動度：高速トランジスタやナノエレクトロニクス用途に適用できます。
フォトルミネッセンス：単層 WSe₂ は強いフォトルミネッセンスを示し、発光デバイスに有用です。スピン軌道相互作用：量子材料研究におけるバレートロニクスやスピントロニクス用途を可能にします。
環境安定性：大気中で構造的完全性を維持します。

結晶構造：
タイプ：Hexagonal（2H相）層状構造
特徴：薄膜作製やナノスケールデバイス用途に適用できる層構造です。

剥離性：
取り扱いやすさ：材料研究やヘテロ構造作製向けに、単層または数層ナノシートへ剥離できます。

その他の特性：
量子閉じ込め効果：単層状態で励起子効果や光・物質相互作用を示します。
異方性輸送特性：方向依存の電荷輸送を示し、電子・熱電デバイスに適用できます。
トポロジカル特性：量子ホール効果やトポロジカル絶縁体研究への応用が期待されます。

主な用途：
光電子デバイス：
光吸収とフォトルミネッセンスにより、光検出器、LED、光起電力セルに適用できます。ナノエレクトロニクス：
トランジスタ、メモリデバイス、フレキシブル電子回路に用いられます。スピントロニクス・量子コンピューティング：
スピン軌道相互作用、バレー分極、量子技術の研究を可能にします。
2D材料研究：
単層への剥離やファンデルワールスヘテロ構造の構築に適用できます。センサー・触媒：
ガス検知、化学センシング、水素発生反応（HER）などの電気触媒用途に用いられます。合成方法：
Chemical Vapor Transport (CVT)。