WS₂ Crystals

WS₂ Crystals

WS₂ は、ファンデルワールス構造を持ち、電子的、光学的、触媒的特性を有する層状遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）です。単層形態で直接バンドギャップ（約 2.0 eV）、バルクで間接バンドギャップ（約 1.4 eV）を示し、ナノエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、エネルギー変換などの用途を支えます。WS₂ 結晶は化学気相輸送法（CVT）により合成されています。

サンプルサイズオプション:
10 mm² を超える結晶
25 mm² を超える結晶

材料特性:
層状ファンデルワールス構造: 2次元材料研究向けに単層または数層シートへの剥離を可能にします。
可変バンドギャップ: 単層形態で直接バンドギャップ（約 2.0 eV）、バルクで間接バンドギャップ（約 1.4 eV）を持ち、オプトエレクトロニクス用途に適用可能です。
キャリア移動度: 電界効果トランジスタ（FET）やナノエレクトロニクスデバイスに適用可能です。
フォトルミネッセンス: 単層 WS₂ は強いフォトルミネッセンスを示し、発光用途を支えます。
触媒活性: 活性エッジサイトを伴う水素発生反応（HER）に用いられます。

結晶構造:
タイプ: Hexagonal（2H 相）層状構造
特徴: 薄膜作製やナノスケールデバイス用途に適用可能な層を持ちます。

剥離性:
使いやすさ: 材料研究やデバイス作製向けに、単層または数層ナノシートへ剥離します。

その他の特性:
光透過性: 可視光域での透過率を持ち、透明電子デバイスに適用可能です。
熱的挙動: 大気条件下での熱的・化学的挙動を示します。
量子閉じ込め効果: 単層形態で励起子効果および光物質相互作用を示します。

用途:
オプトエレクトロニクス:
光検出器、発光ダイオード（LED）、太陽電池に適用可能です。ナノエレクトロニクス:
トランジスタ、ロジック回路、フレキシブル電子デバイスに用いられます。触媒:
水素発生反応（HER）およびエネルギー貯蔵用途向けの電極触媒です。
2次元材料研究:
単層への剥離やファンデルワールスヘテロ構造への組み込みに適用可能です。センサー:
ガス検知、化学センシング、バイオセンシング用途に用いられます。合成方法:
化学気相輸送法（CVT）。