Tungsten Diselenide (WSe₂) on 4-Inch Sapphire Wafer

Tungsten Diselenide (WSe₂) on 4-Inch Sapphire Wafer

CAS 번호: 12067-46-8

기판 크기: 4-Inch Sapphire Wafer

제조 방법: Chemical Vapor Deposition (CVD)

기판 옵션:
WSe₂ 박막은 사파이어 기판 위에 직접 성장됩니다. 다른 기판으로의 맞춤 전사도 요청 시 가능합니다. Custom Products 페이지를 방문하시거나 문의해 주시기 바랍니다.

기본 특성:
Tungsten diselenide (WSe₂)는 층상 구조와 면내 공유 결합을 갖는 2차원 전이금속 디칼코게나이드(TMD)입니다. 단일층 형태에서 WSe₂는 약 1.65 eV의 직접 밴드갭을 나타내어 집광 및 발광 응용을 지원합니다. 벌크 형태에서 WSe₂는 약 1.2 eV의 간접 밴드갭을 가집니다. 밴드갭 에너지는 층수가 증가할수록 감소하며, 직접형에서 간접형으로 전환됩니다. WSe₂는 스핀-밸리 결합 효과와 광발광을 나타내어 광전자공학 및 양자 기술 분야에 활용됩니다. 환경 안정성과 캐리어 이동도 덕분에 전자 및 광전자 소자에 사용됩니다.

주요 용도:
광전자공학: WSe₂는 단일층 형태에서의 직접 밴드갭과 빛-물질 상호작용 덕분에 광검출기, 태양전지, 발광 소자에 사용됩니다.
마이크로전자공학: 캐리어 이동도와 on/off 비 덕분에 WSe₂는 전계효과 트랜지스터(FET)에 사용됩니다.
양자 기술: WSe₂의 스핀-밸리 결합 특성은 양자컴퓨팅 및 밸리트로닉스 소자 응용을 지원합니다. 에너지 응용: WSe₂는 조정 가능한 전자적 특성 덕분에 수소 발생 반응(HER) 및 기타 촉매 공정용 소재로 연구되고 있습니다.
센서: WSe₂ 기반 센서는 가스, 화학물질, 생체분자 검출에서 민감도와 선택성을 나타냅니다.