Palladium Diselenide (PdSe₂)
CAS 번호: 60672-19-7
기판 크기: 1 cm x 1 cm
제조 방법: Chemical Vapor Deposition (CVD)
형태 옵션:
PdSe₂ 박막은 최소 두께 2 nm부터 제공됩니다. 특정 두께가 필요하신 경우 직접 문의해 주시기 바랍니다.
기판 옵션:
PdSe₂ 박막은 사파이어 기판 위에 직접 성장됩니다. 다른 기판으로의 맞춤 전사도 요청 시 가능합니다. Custom Products 페이지를 방문하시거나 문의해 주시기 바랍니다.
기본 특성:
Palladium diselenide (PdSe₂)는 오각형 결정 구조를 갖는 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMD)입니다. 벌크 형태에서의 반금속성 거동이 더 얇은 층에서는 반도체성 특성으로 전환되는 양상을 나타냅니다. 단일층 PdSe₂는 약 1.3 eV의 간접 밴드갭을 가지며, 이는 광전자 및 포토닉스 응용을 지원합니다. PdSe₂는 환경 안정성을 갖추고 있으며, 이방성 특성과 캐리어 이동도를 나타냅니다. 이러한 특성은 전자소자, 센싱, 에너지 저장 응용을 지원합니다. 또한 전자 구조와 촉매 활성 덕분에 수소 발생 반응(HER) 및 기타 에너지 관련 응용에도 사용됩니다.
주요 용도:
광전자공학: PdSe₂의 층수 의존적 밴드갭과 이방성 광학 특성 덕분에 광검출기 및 광센서에 사용됩니다.
전자소자: 캐리어 이동도와 조정 가능한 전자적 특성 덕분에 전계효과 트랜지스터(FET) 및 기타 전자 소자에 사용됩니다. 에너지 응용: PdSe₂는 HER에서 촉매 활성을 나타내며, 배터리 및 슈퍼커패시터용 소재로 연구되고 있습니다.
센서: PdSe₂ 기반 센서는 민감도와 환경 안정성을 나타내어 가스 및 화학물질 검출에 사용됩니다.
양자 기술: 전자 구조 덕분에 양자컴퓨팅 및 소재 시스템 연구를 지원합니다.
| 옵션 1 | Continuous Multilayer Film |
|---|---|
| 옵션 2 | Sapphire (Double-Side Polished), Sapphire (Single-Side Polished), SiO₂/Si (300 nm SiO₂ Layer) |















