HfSe₂ Crystals

HfSe₂ Crystals

HfSe₂는 반데르발스 구조를 가진 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMD)로, 강한 전자적, 광학적, 촉매적 특성을 지닙니다. 간접 밴드갭 반도체로서 HfSe₂는 높은 캐리어 이동도, 강한 광 흡수, 우수한 환경 거동을 나타내어 나노전자공학, 광전자공학, 에너지 저장 응용에 유망한 소재입니다. 당사의 HfSe₂ 결정은 Chemical Vapor Transport(CVT) 방법으로 합성되며, 높은 순도와 정밀한 화학양론, 강한 결정성을 나타냅니다.

샘플 크기 옵션:
Crystals larger than 10 mm²
Crystals larger than 25 mm²
Crystals larger than 100 mm²

재료 특성:
반데르발스 층상 구조: 2D 소재 연구를 위한 단일층 또는 소수층 나노시트로의 손쉬운 박리를 가능하게 합니다.
간접 밴드갭 반도체: 벌크에서 ~1.1 eV의 밴드갭을 나타내며 소수층 형태에서는 변화하여 전자 및 광전자 소자에 활용 가능합니다.
높은 캐리어 이동도: 전계효과 트랜지스터(FET) 및 나노전자 응용에 활용 가능합니다.
강한 광 흡수: 가시광선 및 근적외선 영역에서 높은 광 흡수를 나타내어 광검출기 및 태양전지에 활용 가능합니다. 열적·화학적 거동: 우수한 환경 거동을 나타내며 소자 응용에서 장기적인 성능을 제공합니다.

결정 구조:
유형: Hexagonal 층상 구조(2H 상)
특징: 균일하고 결함이 없는 층으로 높은 결정성을 나타내며, 박막 제작 및 나노스케일 소자 응용에 활용됩니다.

박리 정도:
사용 편의성: 특수 소재 연구 및 이종구조 조립을 위해 단일층 또는 소수층 나노시트로 쉽게 박리됩니다.

기타 특성:
높은 유전 상수: 특수 high-κ 유전체 응용에 활용 가능합니다.
이방성 수송 특성: 특수 소자 구조와 관련하여 방향에 따라 달라지는 전자적·열적 전도성을 나타냅니다.
에너지 밴드 엔지니어링: 도핑, 변형률, 층 두께 제어를 통해 전자적 특성을 조절할 수 있습니다.

주요 용도:
나노전자공학:
트랜지스터, 논리 소자, 유연 전자소자의 표준 소재입니다. 광전자공학:
광검출기, 발광다이오드(LED), 광전지 소자에 활용 가능합니다. 에너지 저장:
리튬이온 배터리, 슈퍼커패시터, 수소 발생 반응(HER) 응용에 잠재력을 지닙니다.
2D 소재 연구:
단일층으로의 박리 및 반데르발스 이종구조 조립에 활용 가능합니다. 센서:
가스 검출, 바이오센싱, 화학 센싱 응용에 높은 민감도를 나타냅니다. 합성 방법:
Chemical Vapor Transport(CVT): 순도, 균일한 두께, 높은 구조적 완전성을 갖춘 고품질 결정을 제공합니다.