Graphite (C) Sputtering Target, 99.999% Purity, Circular

Graphite (C) Sputtering Target, 99.999% Purity, Circular

Nanostore의 Graphite (C) 스퍼터링 타겟은 마그네트론 스퍼터링, 이온 스퍼터링, 실험실용 박막 증착에 사용되는 순도 99.999% 탄소 PVD 소스 재료입니다. 클린 취급, 치수 일관성, 일정한 소재 특성이 중요한 연구, 개발, 소량 공정 작업을 위해 원형 타겟 형상으로 공급됩니다.

주요 특징

소스 재료
순도 99.999%로 공급되며, 제어된 소스 조성과 안정적인 증착 거동이 요구되는 박막 공정에 사용됩니다.

원형 타겟 형상
1 inch diameter (25.4 mm), 1.97 inch diameter (50 mm), 2 inch diameter (50.8 mm), 2.36 inch diameter (60 mm), 3 inch diameter (76.2 mm), 3.15 inch diameter (80 mm), 4 inch diameter (101.6 mm), 3.94 inch diameter (100 mm) 등의 원형 직경으로 제공되며, 두께 및 장착 옵션은 선택한 구성에 따라 3 mm thick, 4 mm thick, 5 mm thick, 6 mm thick, 6.35 mm thick 등이 있습니다.

관리된 가공 및 검사
타겟 제조 공정에는 소재 선정, 성형, 열처리, 정밀 가공, 치수 검사, 표면 처리, 세척, 최종 품질 검토가 포함될 수 있습니다. 조성 및 불순물 관리는 필요에 따라 ICP, GDMS, 탄소/황 분석, 산소/질소 분석, 금속조직 검사 등의 분석 방법으로 지원될 수 있습니다.

클린 취급 및 포장
타겟은 클린 표면 취급과 보호 포장을 거쳐 증착 공정용으로 준비됩니다. 밀봉 상태로 건조한 환경에 보관하고, 클린 장갑을 착용하여 취급하며, 설치 전에는 오일, 먼지, 수분 등 표면 오염 물질과의 직접 접촉을 피하십시오.

재료 특성 및 기술 지표

다음 재료 특성 값은 소재 선정, 소스 로딩, 공정 계획, 박막 증착 평가를 위한 참고용 기술 지표로 제공됩니다:

– 원소 기호: C
– CAS 번호: 7782-42-5
– 물리적 상태: solid
– 승화점: 3642 °C
– 삼중점: 4327 °C
– 결정 구조: hexagonal
– 자기적 특성: diamagnetic

주요 용도

– 탄소 박막 증착; DLC 및 탄소 코팅 연구; 전극 및 보호막 연구; PVD 공정 개발
– 학술, 산업, 파일럿 규모 박막 공정 개발