WS₂ Crystals
¥111,155WS₂ Crystals WS₂ は、ファンデルワールス構造を持ち、電子的、光学的、触媒的特性を有する層状遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)です。単層形態で直接バンドギャップ(約 2.0 eV)、バルクで間接バンドギャ…
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WS₂ Crystals WS₂ は、ファンデルワールス構造を持ち、電子的、光学的、触媒的特性を有する層状遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)です。単層形態で直接バンドギャップ(約 2.0 eV)、バルクで間接バンドギャ…
WS₂ FET Device デバイス仕様: 梱包:単一デバイス(1パッケージあたり1個) デバイス寸法:1 cm x 1 cm 基板:SiO₂/Si(300 nm SiO₂ 層付きシリコン) デバイス構造: SiO₂/…
WSe₂ Crystals WSe₂(Tungsten Diselenide、セレン化タングステン)は、ファンデルワールス構造と電子的・光学的・量子的特性を持つ層状遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)です。可変バンドギャ…
WSe₂ FET Device デバイス仕様: 梱包:単一デバイス(1パッケージあたり1個) デバイス寸法:1 cm x 1 cm 基板:SiO₂/Si(300 nm SiO₂ 層付きシリコン) デバイス構造: SiO₂…
WSeTe Crystals WSeTe は、調整可能なバンドギャップとトポロジカル特性を示す、ファンデルワールス構造を持つ層状遷移金属カルコゲナイド合金です。混合カルコゲナイド合金として、WSeTe は量子現象、スピン…
WSSe Crystals WSSe は、ファンデルワールス構造を持ち、調整可能なバンドギャップとオプトエレクトロニクス特性を備えた層状遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)合金です。混合カルコゲナイドとして、WSSe …
WTe₂ Crystals WTe₂(Tungsten Ditelluride、二テルル化タングステン)は、歪んだ 1T’ 相構造を持つ層状遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)です。タイプII ワイル半金属として知られ、…
Ytterbium Fluoride (YbF₃) Evaporation Pellets, 99.99% Purity Nanostore の Ytterbium Fluoride (YbF₃) 蒸着ペレットは、蒸着コ…
Ytterbium Oxide (Yb₂O₃) Evaporation Pellets, 99.99% Purity Nanostore の Ytterbium Oxide (Yb₂O₃) 蒸着ペレットは、蒸着コーティン…
Ytterbium Oxide (Yb₂O₃) Sputtering Target, 99.99% Purity, Circular (Price Upon Request) Nanostore の Ytterbium …
Yttria-Stabilized Zirconia (YSZ) Single Crystal Substrate 物理的特性: 結晶構造: Cubic System 格子定数: a=5.125 Angstrom 組成比…
Yttria-Stabilized Zirconia (YSZ) Single Crystal Wafers 物理的特性: 結晶構造: Cubic System 格子定数: a=5.125 Angstrom 組成比: Y…
Yttria-Stabilized Zirconia (ZrO₂:Y₂O₃ 92:8 wt%) Evaporation Pellets, 99.99% Purity (Request Current Price) Nan…
Yttria-Stabilized Zirconia (ZrO₂:Y₂O₃) Sputtering Target, 99.9% Purity, ZrO₂:Y₂O₃ = 92:8 at%, Circular (Price …
Yttrium Aluminum Garnet (YAG) Single Crystal Substrates 物理的特性: 結晶構造: Cubic System 格子定数: a=12.01 Angstrom 密度: 4…
Yttrium Aluminum Garnet (YAG) Single Crystal Wafers 物理的特性: 結晶構造: Cubic System 格子定数: a=12.01 Angstrom 密度: 4.56 …
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