PdSe₂ Crystals

PdSe₂ Crystals

PdSe₂ は、五角形の結晶構造と可変の電子特性を持つ層状遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）です。一般的な TMD とは異なり、PdSe₂ はバルクでの半金属的挙動から単層での半導体特性への転移を示します。また、キャリア移動度と異方性の光学的・電気的特性を備えており、ナノエレクトロニクス、光電子デバイス、センシング、エネルギー関連デバイスへの応用を可能にします。PdSe₂ 結晶は Chemical Vapor Transport (CVT) 法により合成されます。

サンプルサイズオプション：
Crystals larger than 10 mm²
Crystals larger than 25 mm²

材料特性：
五角形構造：一般的なHexagonal TMD とは異なる構造で、異方性特性に関連します。半導体・半金属転移：単層では約 1.3 eV の間接バンドギャップを示し、バルクでは半金属的挙動に転移します。
キャリア移動度：高速電界効果トランジスタ（FET）やナノエレクトロニクスデバイスに適用できます。
異方性特性：方向依存の光学的・電子的挙動を示し、材料研究に活用できます。
環境安定性：大気中での劣化に強い耐性を示します。

結晶構造：
タイプ：五角形格子対称性を持つOrthorhombic層状構造
特徴：薄膜作製やナノスケールデバイス作製に適用できる層構造です。

剥離性：
取り扱いやすさ：材料研究やヘテロ構造構築向けに、単層または数層ナノシートへ剥離できます。

その他の特性：
光吸収：光検出器や集光デバイスに用いられます。
異方性輸送：量子デバイスにおける方向依存の輸送現象の研究を可能にします。
化学的挙動：大気中でも構造的完全性を維持し、長期的なセンシング用途に有利です。

主な用途：
ナノエレクトロニクス：
トランジスタ、論理デバイス、フレキシブルエレクトロニクスに用いられます。光電子デバイス：
光と物質の相互作用により、光検出器、発光ダイオード（LED）、光起電力デバイスに適用できます。センサー：
ガス検知、化学センシング、バイオセンシング用途に用いられます。エネルギー貯蔵と触媒：
エネルギー貯蔵デバイス、水素発生反応（HER）、触媒への応用が期待されます。
2D材料研究：
単層への剥離やファンデルワールスヘテロ構造の構築に適用できます。合成方法：
Chemical Vapor Transport (CVT)。