GeS Crystals

GeS Crystals

GeSは、IV族モノカルコゲナイドに属する層状半導体材料です。独自のOrthorhombic結晶構造により、強い異方性の光学的・電子的特性を示します。狭いバンドギャップと高い環境安定性を備え、GeSはオプトエレクトロニクス、光起電力、2次元材料研究に有望な材料です。

サンプルサイズオプション:
Crystals larger than 10 mm²
Crystals larger than 25 mm²

材料特性:
層状構造: 2次元応用のための薄層への剥離に適用可能です。
異方性特性: 強い方向依存性の光学的・電子的挙動を示します。狭いバンドギャップ: (~1.6 eV)、可視から近赤外の応用に適しています。熱的・化学的挙動: 制御された条件下で性能を維持します。

結晶構造:
タイプ: Orthorhombic層状構造
特徴: 薄いシートへ容易にへき開でき、ナノスケール研究に適しています。

剥離性:
使いやすさ: 専門研究のために単層または数層シートへ容易に剥離します。

その他の特性:
オプトエレクトロニクス特性: フォトニックデバイス向けの高い量子効率と強い光吸収。
光起電力への可能性: 太陽エネルギー変換用途に適用可能です。
環境挙動: 不活性条件下で安定しており、長期的な使用が可能です。

主な用途:
オプトエレクトロニクス:
光検出器、LED、感光デバイスに適用可能です。光起電力:
狭いバンドギャップと光学特性により、太陽電池への応用が期待されます。
2次元材料研究:
ファンデルワールスヘテロ構造のための薄層への剥離に適用可能です。センサー:
光および化学的刺激への高い感度を持ち、専門的なセンシング用途に適用可能です。量子材料研究:
低次元の電子的・光学的現象の探究を可能にします。

参考文献:
1, Madatov, R., A. Alekperov, and O. Hasanov. “Effect of Nd Impurity on Photoconductivity and Optical Absorption Spectra of GeS Single Crystal.” Journal of Applied Spectroscopy 84.1 (2017).
2,Madatov, R., A. Alekperov, and O. Hasanov. “Effect of Nd Impurity on Photoconductivity and Optical Absorption Spectra of GeS Single Crystal.” Journal of Applied Spectroscopy 84.1 (2017).
3,Zhang, Shengli, et al. “Two-dimensional GeS with variable electronic properties via external electric field and strain.” Nanotechnology 27.27 (2016): 274001.