WSe₂ Crystals

WSe₂ Crystals

WSe₂(Tungsten Diselenide, 이셀레늄화텅스텐)는 반데르발스 구조와 전자적·광학적·양자적 특성을 지닌 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMD)입니다. 가변 밴드갭, 스핀-궤도 결합, 전하 캐리어 이동도를 나타내어 나노전자소자, 광전자공학, 스핀트로닉스, 양자 컴퓨팅 응용을 지원합니다. WSe₂ 결정은 화학 기상 수송(CVT)법을 이용해 합성됩니다.

샘플 크기 옵션:
Crystals larger than 10 mm²
Crystals larger than 25 mm²
Crystals larger than 100 mm²

재료 특성:
층상 반데르발스 구조: 2D 소재 연구를 위해 단일층 또는 소수층 나노시트로 박리할 수 있습니다.
가변 밴드갭: 벌크에서는 약 1.2 eV의 간접 밴드갭을, 단일층 형태에서는 약 1.65 eV의 직접 밴드갭을 나타내어 광전자 응용에 적용 가능합니다.
캐리어 이동도: 고속 트랜지스터 및 나노전자소자 응용에 적용 가능합니다.
광발광: 단일층 WSe₂는 강한 광발광을 나타내어 발광 소자를 지원합니다. 스핀-궤도 결합: 양자 소재 연구에서 밸리트로닉스 및 스핀트로닉스 응용을 가능하게 합니다.
환경 거동: 상온 조건에서 구조적 안정성을 유지합니다.

결정 구조:
유형: Hexagonal (2H phase) layered structure
특징: 박막 제작 및 나노스케일 소자 응용에 적용 가능한 층 구조입니다.

박리 정도:
사용 용이성: 소재 연구 및 이종구조 제작을 위해 단일층 또는 소수층 나노시트로 박리됩니다.

기타 특성:
양자 구속 효과: 단일층 형태에서 엑시톤 효과 및 빛-물질 상호작용을 나타냅니다.
이방성 수송 특성: 방향에 따라 달라지는 전하 수송을 나타내어 전자 및 열전 소자에 적용 가능합니다.
위상학적 특성: 양자 홀 효과 및 위상 절연체 연구에 적용될 가능성이 있습니다.

주요 용도:
광전자공학:
빛 흡수 및 광발광 특성으로 광검출기, LED, 광전지에 적용 가능합니다. 전자 소자:
트랜지스터, 메모리 소자, 유연 전자 회로에 사용됩니다. 스핀트로닉스 및 양자 컴퓨팅:
스핀-궤도 결합, 밸리 편극, 양자 기술 연구를 가능하게 합니다.
2D 소재 연구:
단일층으로의 박리 및 반데르발스 이종구조 조립에 적용 가능합니다. 센서 및 촉매 작용:
가스 검출, 화학 센싱, 수소 발생 반응(HER)과 같은 전기촉매 응용에 사용됩니다. 합성 방법:
Chemical Vapor Transport (CVT).