Silicon (Si) Single Crystal Substrates (N-type, doped), 10 pcs/pack

가격 범위: ₩180,339~₩294,249

※ 원화(KRW) 기준 참고 가격입니다(대한민국 부가가치세 미포함).

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설명
추가 정보

Silicon (Si) Single Crystal Substrates (Wafers)

물리적 특성:
– 결정 구조: Cubic System
– 격자 상수: a=5.4301 Angstrom
– 경도: 6.5 (Mohs)
– 밀도: 2.329 g/cm³
– 융점: 1414 °C
– 성장 방법: CZ and FZ

표준 사양:
1. 방위 참고사항
– 기타 방위 맞춤 제작 가능
2. 표면 품질
– 연마: Single-side polished / Double-side polished

실리콘 웨이퍼 등급 선택 가이드
당사는 연구 및 반도체 응용 분야를 위한 두 가지 주요 웨이퍼 등급, 즉 Research Grade와 Prime Grade(Device Grade)를 제공합니다. 각 등급은 서로 다른 실험 및 제작 요구 사항에 맞춰 규정되어 있습니다.

Research Grade 실리콘 웨이퍼
(다른 명칭: Lab Grade / General Research Grade)
설명:
Research Grade 실리콘 웨이퍼는 학술 연구, 재료 과학, 박막 증착 및 일반 실험실 용도로 설계된 고품질 연마 웨이퍼입니다. 대부분의 비소자 제작 실험에 적합한 우수한 표면 품질과 평탄도를 갖추고 있습니다.
주요 특성:
* 우수한 품질의 단결정 실리콘
* 단면 또는 양면 연마
* 우수한 표면 평탄도 및 청정도
* 일상적인 연구용으로 비용 효율적
* 경미한 표면 결함이나 파티클이 존재할 수 있음(소자 제작에 치명적이지 않음)
* 집적회로 제작용으로 인증되지 않음
권장 용도
* 박막 증착(Au, Pt, Ti, Al 등)
* 2D 소재 성장 및 전사
* 광학 및 포토닉스 실험
* 표면 화학 및 촉매 연구
* SEM/AFM 분석
* 전기화학용 기판
* 일반 대학 연구
표준 용도:
대부분의 학술 및 R&D 실험실 용도
—
Prime Grade 실리콘 웨이퍼 (Device Grade)
(Semiconductor / IC / Device Fabrication Grade)
설명:
Prime Grade 실리콘 웨이퍼는 반도체 산업의 소자급(Device-Grade) 품질을 나타냅니다. 이 웨이퍼는 초저 표면 조도, 매우 낮은 결함 밀도, 엄격하게 관리된 전기적·결정학적 사양을 특징으로 합니다. 미세 가공, MEMS, 반도체 소자 생산에 적용할 수 있습니다.
주요 특성:
* 반도체 소자 제작 등급
* 초저 파티클 및 결함 밀도
* 높은 표면 조도(일반적으로 <0.5 nm Ra)
* 엄격한 저항률 및 방위 공차
* 웨이퍼 전면의 높은 균일도
* 클린룸에 적합한 포장
* 포토리소그래피 및 미세 가공에 적용 가능
권장 용도:
* 마이크로/나노 소자 제작
* MEMS 공정
* 포토리소그래피
* 반도체 소자 연구
* 초청정 표면이 요구되는 에피택시 및 박막 성장
* MOS/MIS 구조 제작
* 특수 대학 클린룸 용도

옵션 1	10 × 10 × 0.5 mm, Double-side Polished, Research Grade, 10 × 10 × 0.5 mm, Single-side Polished, Research Grade, 20 × 20 × 0.5 mm, Double-side Polished, Research Grade, 20 × 20 × 0.5 mm, Single-side Polished, Research Grade, 5 × 5 × 0.5 mm, Double-side Polished, Research Grade, 5 × 5 × 0.5 mm, Single-side Polished, Research Grade
옵션 3	N-type (As-doped), N-type (Ph-doped), N-type (Sb-doped)
Orientation	(100), (110), (111)