Molybdenum Ditelluride (MoTe₂)

816,337

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Molybdenum Ditelluride (MoTe₂)

CAS 번호: 12058-20-7

기판 크기: 1 cm x 1 cm

제조 방법: Chemical Vapor Deposition (CVD)

형태 옵션:
Few Layers (~5 layers)
Multiple Layers (~10 layers) 상 옵션:
2H
1T’

기판 옵션:
MoTe₂ 박막은 SiO₂ 또는 사파이어 기판 위에 직접 성장될 수 있습니다. 다른 기판으로의 맞춤 전사도 요청 시 가능합니다. Custom Products 페이지를 방문하시거나 문의해 주시기 바랍니다.

기본 특성:
Molybdenum ditelluride (MoTe₂)는 반도체성 2H 구조와 금속성 1T’ 구조를 포함한 다형성 위상을 갖는 층상 전이금속 디칼코게나이드(TMD)입니다. 단일층 형태에서 2H-MoTe₂는 약 1.1 eV의 직접 밴드갭을 가지며, 광전자 응용에 사용됩니다. 반면 1T’ 상은 금속성을 나타내며 위상학적 응용에 사용됩니다. MoTe₂는 앞서 언급한 환경 조건에서의 안정성, 조정 가능한 상전이, 캐리어 이동도를 갖추고 있어 전자, 광전자, 센싱 응용에 사용됩니다. 촉매 활성과 구조적 특성 덕분에 에너지 저장 및 변환 기술에도 활용될 수 있습니다.

주요 용도:
광전자공학: 2H-MoTe₂의 직접 밴드갭 덕분에 광검출기, 태양전지, 기타 집광 소자에 사용됩니다.
전자소자: MoTe₂는 캐리어 이동도와 조정 가능한 전자적 특성 덕분에 전계효과 트랜지스터(FET)의 채널 재료로 사용됩니다. 에너지 응용: MoTe₂는 수소 발생 반응(HER)에서 촉매 활성을 나타내며, 배터리와 슈퍼커패시터에도 활용될 수 있습니다.
센서: MoTe₂ 기반 센서는 가스 및 화학물질 검출에 사용됩니다.
양자 기술: MoTe₂의 1T’ 상은 위상 양자 소재 및 스핀트로닉스 연구에 활용됩니다.

옵션 1

Few Layers (~5 layers), Multiple Layers (~10 layers)

옵션 2

Sapphire (Double-Side Polished), Sapphire (Single-Side Polished), SiO₂/Si (300 nm SiO₂ Layer)

옵션 3

1T', 2H