InSb Single Crystal | 2D Layered Material

InSb Crystals

※ 원화(KRW) 기준 참고 가격입니다(대한민국 부가가치세 미포함).

InSb Crystals

InSb는 강한 전자적·광학적·열전적 특성을 지닌 좁은 밴드갭 반도체입니다. 높은 전자 이동도, 강한 적외선 감응성, 낮은 열전도도로 인해 적외선 검출기, 고속 전자소자, 양자 소재 연구를 위한 최상급 소재입니다. 당사의 InSb 결정은 Chemical Vapor Transport(CVT) 방법으로 합성되며, 특수 응용에 적합한 고순도, 정밀한 화학양론, 강한 결정성을 제공합니다.

샘플 크기 옵션:
Crystals larger than 10 mm²
Crystals larger than 25 mm²

재료 특성:
좁은 밴드갭: 적외선 검출 및 저전력 전자소자에 활용됩니다.
높은 전자 이동도: 70,000 cm²/V-s 이상의 높은 캐리어 이동도를 나타냅니다.
광 흡수: 적외선 영역에서 강한 흡수를 나타내며 광자 응용에 활용됩니다.
열전 잠재력: 에너지 변환 응용을 위한 낮은 열전도도를 나타냅니다.

결정 구조:
유형: 섬아연광형 입방 구조
특징: 매우 균일하고 벽개 가능하며, 박막 제작 및 나노스케일 연구에 활용됩니다.

박리 정도:
사용 편의성: 특수 소자 응용을 위해 박막으로 가공될 수 있습니다.

기타 특성:
적외선 감응성: 적외선 광검출기 및 이미징 시스템의 표준 소재입니다. 고속 전자소자: 높은 캐리어 이동도와 저전력 소비가 요구되는 응용에 활용됩니다.
양자 잠재력: 양자 우물 구조 및 스핀트로닉스 소자에 유망합니다.

주요 용도:
적외선 광전자공학:
광검출기, 열화상, 분광 응용에 활용됩니다. 고속 전자소자:
높은 이동도가 요구되는 트랜지스터, 홀 센서, 기타 전자 소자에 활용됩니다. 양자 소재 연구:
양자 수송, 스핀-궤도 결합, 위상학적 현상 탐구를 가능하게 합니다. 에너지

응용:
열전 에너지 하베스팅 및 냉각 시스템에 유망합니다. 센서:
환경 및 자기장에 대한 높은 민감도로 특수 센싱 기술에 활용됩니다.