InSb Crystals

価格帯: ¥133,386 – ¥152,061

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InSb Crystals

InSb は、強い電子的・光学的・熱電的特性を持つ狭バンドギャップ半導体です。その高い電子移動度、強い赤外線感度、および低い熱伝導率により、赤外線検出器、高速エレクトロニクス、量子材料研究に適した最高水準の材料となっています。当社の InSb 結晶は化学気相輸送(CVT)法により、高純度・精密な化学量論比・高い結晶性を備えた特殊用途向けとして合成されます。

サンプルサイズオプション:
Crystals larger than 10 mm²
Crystals larger than 25 mm²

材料特性:
狭バンドギャップ: 赤外線検出や低消費電力エレクトロニクスに応用できます。
高電子移動度: 70,000 cm²/V-s を超える高いキャリア移動度を有します。
光吸収: 赤外域における強い吸収特性を持ち、フォトニクス用途に応用できます。
熱電ポテンシャル: 低い熱伝導率を有し、エネルギー変換用途に応用できます。

結晶構造:
タイプ: 閃亜鉛鉱型Cubic構造
特徴: 高い均一性と劈開性を持ち、薄膜作製やナノスケール研究に適用できます。

剥離性:
使いやすさ: 特殊なデバイス用途に向けて薄膜へ加工できます。

その他の特性:
赤外線感度: 赤外線光検出器やイメージングシステムで標準的に用いられます。高速エレクトロニクス: 高いキャリア移動度と低消費電力が求められる用途に応用できます。
量子ポテンシャル: 量子井戸構造やスピントロニクスデバイスへの応用が期待されます。

主な用途:
赤外線光電子工学:
光検出器、サーマルイメージング、分光用途に応用できます。高速エレクトロニクス:
トランジスタ、ホールセンサーなど、高い移動度を必要とする電子デバイスに応用できます。量子材料研究:
量子輸送、スピン軌道相互作用、トポロジカル現象の研究を可能にします。エネルギー

主な用途:
熱電エネルギーハーベスティングや冷却システムへの応用が期待されます。センサー:
環境要因や磁場に対する高い感度を持ち、特殊なセンシング技術に応用できます。