Cr₂Si₂Te₆ Single Crystal | 2D Layered Material

Cr₂Si₂Te₆ Crystals

※ 원화(KRW) 기준 참고 가격입니다(대한민국 부가가치세 미포함).

Cr₂Si₂Te₆ Crystals

Cr₂Si₂Te₆는 반데르발스 구조를 가진 층상 자성 반도체로, 고유한 강자성 거동과 가변적인 전자적 특성을 나타냅니다. 강한 스핀-궤도 결합, 높은 자기 이방성, 높은 열적 거동을 바탕으로 스핀트로닉스, 양자 연구, 2D 소재 연구 분야에 적용 가능합니다.

샘플 크기 옵션:
Crystals larger than 10 mm²
Crystals larger than 25 mm²
Crystals larger than 100 mm²

재료 특성:
층상 반데르발스 구조: 2D 소재 연구를 위해 단일층 또는 소수층 시트로 박리할 수 있습니다.
강자성 거동: 저온에서 고유 강자성을 나타내며 스핀트로닉스 응용에 적용 가능합니다.
반도체 특성: 전자 및 광전자 소자에 적용 가능한 중간 정도의 밴드갭을 나타냅니다.
열적 거동: 상온 조건에서 구조적·전자적 특성을 유지합니다.

결정 구조:
유형: Hexagonal 층상 구조
특징: 벽개 가능한 층으로, 박막 제작 및 나노스케일 연구에 적용 가능합니다.

박리 정도:
사용 용이성: 특수 연구 및 소자 조립을 위해 얇은 층으로 쉽게 박리됩니다.

기타 특성:
스핀트로닉스

주요 용도: 스핀 기반 메모리 및 논리 소자에서 높은 잠재력을 나타냅니다.
광전자 성능: 광센서 및 기타 광자 응용에 적용 가능합니다.
양자 연구 기회: 양자 자성 및 스핀 수송 현상 연구를 가능하게 합니다.

주요 용도:
스핀트로닉스:
자기 메모리, 스핀 밸브, 특수 스핀트로닉스 소자에 적용 가능합니다. 양자 소재 연구:
자기적 위상 현상 및 양자 수송 연구에 적용 가능합니다.
2D 소재 연구:
단일층 박리 및 반데르발스 이종구조 조립에 적용 가능합니다. 광전자공학:
광검출기 및 감광 소자에서 높은 잠재력을 나타냅니다. 에너지

주요 용도:
열전 및 촉매 시스템에 적용 가능합니다.