Aluminum-Coated Silicon Wafers | Al/Ti | 2–6 inch

Aluminum-Coated Silicon Wafers (Al/Ti on Si (100))

※ 원화(KRW) 기준 참고 가격입니다(대한민국 부가가치세 미포함).

Aluminum-Coated Silicon Wafers (Al/Ti on Si (100))

개요
당사의 알루미늄 코팅 실리콘 웨이퍼는 고진공 마그네트론 스퍼터링으로 제작되어, 반도체 연구 및 소자 제작에 적합한 균일한 두께, 우수한 접착력, 깨끗한 표면 형상을 제공합니다.

실리콘 기판과 알루미늄 박막 사이에는 티타늄(Ti) 접착층이 증착되어 박막 거동과 계면 결합력을 향상시킵니다.

알루미늄 박막은 마이크로전자공학, 반사 코팅, 인터커넥트 연구, MEMS 소자, 전극 개발에 사용됩니다.

적층 구조
Al(알루미늄 층)
Ti(10 nm 접착층)
Si (100) 기판

권장 알루미늄 두께
100 nm – * 일반 전도층 응용에 권장
200 nm – * 소자 제작에 권장
500 nm – 두꺼운 전도층
1 µm – 고전류 또는 본딩 응용

기판 사양
방위: Si (100)
도핑: N-type, 1–10 Ω·cm resistivity
표면 처리: Single-side polished (SSP)

선택 옵션:
P-type silicon
Double-side polished (DSP)
맞춤 저항률 범위

증착 공정
고진공 마그네트론 스퍼터링
제어된 박막 두께 균일도
클린룸 대응 취급

주요 용도
반도체 인터커넥트 연구
MEMS 소자 제작
반사 코팅
본딩 패드
마이크로전극 구조
박막 소자 프로토타이핑

품질 및 포장
균일한 박막 두께 관리
연구용 등급의 표면 품질
표면 산화 노출을 최소화하는 보호 포장

요청 시 맞춤 웨이퍼 규격 및 두께를 제공할 수 있습니다.

옵션 1	2″ Si \| 100 nm Al, 2″ Si \| 200 nm Al, 2″ Si \| 500 nm Al, 4″ Si \| 100 nm Al, 4″ Si \| 200 nm Al, 4″ Si \| 500 nm Al, 6″ Si \| 100 nm Al, 6″ Si \| 200 nm Al

Aluminum-Coated Silicon Wafers (Al/Ti on Si (100))