ZrS₃ Crystals

ZrS₃ Crystals

ZrS₃（Zirconium Trisulfide、三硫化ジルコニウム）は、異方性の電気的・光学的特性を持つ擬一次元（1D）遷移金属トリカルコゲナイド（TMT）です。可変バンドギャップ、励起子効果、キャリア移動度を示し、ナノエレクトロニクス、光電子デバイス、エネルギー貯蔵への応用を可能にします。ZrS₃ 結晶は Chemical Vapor Transport (CVT) 法により合成されます。

サンプルサイズオプション：
Crystals larger than 10 mm²
Crystals larger than 25 mm²
Crystals larger than 100 mm²

材料特性：
擬一次元層状構造：電気的・光学的特性における面内異方性を示します。
半導体特性：バルクの ZrS₃ は約 1.9 eV の間接バンドギャップを示し、単層では直接バンドギャップ（約 2.2 eV）に転移し、光電子用途に有用です。
励起子効果：誘電遮蔽の低下により顕著な励起子共鳴を示し、光応答に寄与します。
異方性光吸収：偏光依存の光応答を示し、線二色性研究に関連します。
キャリア移動度：高速電子デバイス研究に用いられる電荷輸送特性を示します。
環境安定性：大気中での挙動は Mo系・W系の遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）と比較されます。

結晶構造：
タイプ：擬一次元特性を持つTriclinic層状構造
特徴：薄膜作製やナノスケールデバイス用途に適用できる層構造です。

剥離性：
取り扱いやすさ：材料研究やヘテロ構造作製向けに、数層ナノシートへ剥離できます。

その他の特性：
異方性輸送特性：方向依存の電荷輸送を示し、電子・量子デバイスに適用できます。励起子デバイスへの可能性：電子・正孔相互作用により光電子用途を可能にします。可変の光学的・電子的特性：層厚やひずみ工学によりバンドギャップや電荷輸送を調整できます。

主な用途：
光電子デバイス・光検出器：
偏光感応型の光検出器や赤外線センサーに適用できます。
ナノエレクトロニクス：高速トランジスタ、薄膜半導体、電子デバイスに適用できます。エネルギー貯蔵・変換：
その電気化学的特性により、リチウムイオン電池やナトリウムイオン電池への応用が研究されています。
2D材料研究：
単層への剥離やファンデルワールスヘテロ構造の構築に適用できます。量子材料研究：
励起子相互作用、異方性量子輸送、バレートロニクス効果の研究を可能にします。合成方法：
Chemical Vapor Transport (CVT)。