GeS₂ Crystals

GeS₂ Crystals

GeS₂は光学的・電子的特性を備えた層状カルコゲナイド材料であり、オプトエレクトロニクス、フォトニクス、2次元材料研究への応用を支えます。広いバンドギャップと半導体特性により、GeS₂はエネルギー変換、センシング、材料科学研究にも応用されています。

サンプルサイズオプション:
Crystals larger than 10 mm²
Crystals larger than 25 mm²

材料特性:
層状構造: 2次元材料応用のための薄層への剥離を可能にします。広いバンドギャップ: 3.8 eV。紫外可視域の光学応用に適しています。
半導体特性: 電子的・フォトニック的挙動を示します。

結晶構造:
タイプ: Orthorhombic層状構造
特徴: ナノスケール研究のために薄層へのへき開が可能です。

剥離性:
使いやすさ: 2次元研究やデバイス作製のために単層または数層シートへ剥離されます。

その他の特性:
光学的挙動: 紫外可視領域で吸収を示し、フォトニックデバイスに適しています。
化学的挙動: 不活性環境での保管下で構造的・電子的な健全性を維持します。エネルギー応用: 光触媒および太陽エネルギー変換に用いられます。

主な用途:
オプトエレクトロニクス:
紫外可視域の光検出器、LED、感光デバイスに適用可能です。
2次元材料研究:
ファンデルワールスヘテロ構造のための薄層への剥離に適用可能です。エネルギー変換:
太陽電池および光触媒用途に用いられます。センサー:
光および化学的変化への応答性があり、センシングデバイスに役立ちます。量子材料研究:
低次元の電子的・光学的現象の研究を可能にします。

参考文献:
Sung, Geon-Kyu, Ki-Joon Jeon, and Cheol-Min Park. “Highly reversible and strong Li-storage characteristics of layered GeS₂ and its amorphous composites.” ACS applied materials & interfaces 8.43 (2016): 29543-29550. Lin, Changgui, et al. “Second-harmonic generation in IR-transparent β-GeS 2 crystallized glasses.” Optics letters 34.4 (2009): 437-439. Durandurdu, Murat. “High-density amorphous phase of GeS 2 glass under pressure.” Physical Review B 79.20 (2009): 205202.