Silicon Carbide (SiC) Sputtering Target, 99.9% Purity, Circular (Price Upon Request)

Silicon Carbide (SiC) Sputtering Target, 99.9% Purity, Circular (Price Upon Request)

Nanostore の Silicon Carbide (SiC) スパッタリングターゲットは、純度 99.9% の炭化物セラミック PVD ソース材料で、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリング、実験室での薄膜成膜に使用されます。クリーンな取り扱い、寸法の一貫性、一貫した材質同一性が重視される研究・開発・小ロットのプロセス作業向けに、円形ターゲット形状で提供されます。最終価格は選択される寸法とその時点の材料市況によって決まるため、価格はお問い合わせに応じてご案内いたします。

主な特長

ソース材料
ソース組成の管理と安定した成膜挙動が求められる薄膜ワークフロー向けに、99.9% Purity として提供されます。

円形ターゲット形状
円形直径として 1.97 inch diameter (50 mm), 2 inch diameter (50.8 mm), 2.36 inch diameter (60 mm), 3 inch diameter (76.2 mm), 4 inch diameter (101.6 mm), 3.15 inch diameter (80 mm), 3.94 inch diameter (100 mm) をご用意しています。厚さおよびマウントのオプションには、選択される構成に応じて 3 mm thick, 3 mm + 2 mm Cu backing, 3 mm + 3 mm Cu backing, 3 mm + 1 mm Cu backing, 3 mm + 2 mm Cu backing + magnetic shim, 3 mm + 3 mm Cu backing + magnetic shim が含まれます。

管理された加工と検査
ターゲットの製作には、材料選定、成形、熱処理、精密機械加工、寸法検査、表面仕上げ、洗浄、最終品質確認が含まれる場合があります。組成および不純物の管理は、必要に応じて ICP、GDMS、炭素／硫黄分析、酸素／窒素分析、金属組織検査などの分析手法によって裏付けられる場合があります。

クリーンな取り扱いと梱包
ターゲットは、クリーンな表面取り扱いと保護梱包を経て、成膜用途向けに準備されます。乾燥した環境で密封して保管し、清浄な手袋で取り扱い、装着前には油分、粉塵、湿気その他の表面汚染との直接接触を避けてください。

技術仕様

材質: Silicon Carbide (SiC)
純度／組成: 99.9% Purity
形状: Circular sputtering target
対応直径: 1.97 inch diameter (50 mm), 2 inch diameter (50.8 mm), 2.36 inch diameter (60 mm), 3 inch diameter (76.2 mm), 4 inch diameter (101.6 mm), 3.15 inch diameter (80 mm), 3.94 inch diameter (100 mm)
対応厚さ／バッキングオプション: 3 mm thick, 3 mm + 2 mm Cu backing, 3 mm + 3 mm Cu backing, 3 mm + 1 mm Cu backing, 3 mm + 2 mm Cu backing + magnetic shim, 3 mm + 3 mm Cu backing + magnetic shim
対応装置: Single-target sputtering systems, multi-target sputtering systems, ion sputtering systems, and magnetron sputtering equipment
梱包: Protective target packaging for laboratory shipment and storage

主な用途

– 炭化ケイ素薄膜の成膜；硬質コーティングおよび高温セラミック膜の研究；ワイドバンドギャップ半導体材料の研究；SiC の PVD プロセス開発
– 学術・産業・パイロットスケールでの薄膜プロセス開発