Cu3SbS3 Crystals
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バルク結晶

Cu₃SbS₃ Crystals

価格帯: ¥111,155 – ¥126,717

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Cu₃SbS₃ Crystals

Cu₃SbS₃ は、高い光学的・熱電的特性を持つ三元系カルコゲナイド半導体であり、エネルギーハーベスティング、光起電力用途、熱電デバイスへの応用が期待される材料です。その独自の結晶構造と可視域における高い吸収係数は、光電子工学およびエネルギー変換技術に利点をもたらします。当社の Cu₃SbS₃ 結晶は化学気相輸送(CVT)法により、高純度・精密な化学量論比・高い結晶性を備えて合成されます。

サンプルサイズオプション:
Crystals larger than 10 mm²
Crystals larger than 25 mm²

材料特性:
半導体特性: 光起電力用途に応用可能な直接バンドギャップを特徴とします。
高い光吸収: 可視域における強い吸収特性を持ち、フォトニックデバイスに応用できます。
熱電性能: 高いゼーベック係数と低い熱伝導率を有し、エネルギー用途に応用できます。
環境安定性: 管理された条件下で構造的・電子的完全性を維持します。

結晶構造:
タイプ: 四面体構造
特徴: 容易に劈開可能な層構造を持ち、薄膜作製やナノスケール研究に適用できます。

剥離性:
使いやすさ: 特殊な研究やデバイス組み立てに向けて容易に薄膜へ加工できます。

その他の特性:
光起電力への応用可能性: 太陽光エネルギー変換における高い効率を有します。エネルギー

主な用途: 熱電エネルギーハーベスティングや冷却技術への応用が期待されます。光電子工学

主な用途: 高い吸収特性とキャリア移動度を有し、フォトニックデバイスに応用できます。

主な用途:
光起電力:
太陽電池やその他の集光デバイスに応用できます。熱電デバイス:
エネルギー変換や熱マネジメント用途への応用が期待されます。光電子工学:
光検出器、発光デバイス、その他のフォトニクス技術に応用できます。
2次元材料研究:
薄層への剥離やファンデルワールスヘテロ構造への組み立てに応用できます。エネルギー

主な用途:
熱電システムや触媒システムに利用されます。

オプション1

> 10 mm², > 25 mm²

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