Boron Nitride (BN) Sputtering Target, 99.9% Purity, Circular

Boron Nitride (BN) Sputtering Target, 99.9% Purity, Circular

Nanostore の Boron Nitride (BN) スパッタリングターゲットは、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリング、および実験室での薄膜成膜に用いる純度 99.9% の窒化物セラミックス PVD ソース材料です。 研究、開発、小ロットのプロセス検討向けに円形ターゲット形状で提供され、クリーンな取り扱い、寸法の安定性、一貫した材料同一性が重視される用途に適しています。

主な特長

ソース材料
ソース組成の管理と安定した成膜挙動が求められる薄膜ワークフロー向けに、99.9% Purity 仕様で提供されます。

円形ターゲット形状
円形直径は、1.97 inch diameter (50 mm), 2 inch diameter (50.8 mm), 2.36 inch diameter (60 mm), 3 inch diameter (76.2 mm), 3.15 inch diameter (80 mm), 4 inch diameter (101.6 mm), 3.94 inch diameter (100 mm) などをご用意しています。厚さおよびマウントのオプションには、選択する構成に応じて、3 mm thick, 3 mm + 2 mm Cu backing, 3 mm + 3 mm Cu backing, 3 mm + 1 mm Cu backing, 3 mm + 2 mm Cu backing + magnetic shim, 3 mm + 3 mm Cu backing + magnetic shim などがあります。

管理された加工と検査
ターゲットの製作工程には、材料選定、成形、熱処理、精密機械加工、寸法検査、表面仕上げ、洗浄、最終品質確認が含まれる場合があります。 組成および不純物の管理は、必要に応じて ICP、GDMS、炭素／硫黄分析、酸素／窒素分析、金属組織検査などの分析手法により裏付けられます。

クリーンな取り扱いと梱包
ターゲットは、クリーンな表面取り扱いと保護梱包を施したうえで、成膜用途向けに準備されます。 乾燥環境で密封保管し、清浄な手袋で取り扱い、装着前には油分、粉塵、湿気などによる表面汚染との直接接触を避けてください。

マウント構成に関する注記
本製品では、3 mm + 1 mm Cu backing; 3 mm + 2 mm Cu backing; 3 mm + 2 mm Cu backing + magnetic shim; 3 mm + 3 mm Cu backing; 3 mm + 3 mm Cu backing + magnetic shim などのマウントオプションを含む構成を選択できます。スパッタ源の形状およびカソードの要件に応じて、プレーンターゲット、Cu バッキング付きターゲット、磁性シム付き構成をお選びください。

技術仕様

材質: Boron Nitride (BN)
純度／組成: 99.9% Purity
形状: Circular sputtering target
対応直径: 1.97 inch diameter (50 mm), 2 inch diameter (50.8 mm), 2.36 inch diameter (60 mm), 3 inch diameter (76.2 mm), 3.15 inch diameter (80 mm), 4 inch diameter (101.6 mm), 3.94 inch diameter (100 mm)
対応厚さ／バッキングオプション: 3 mm thick, 3 mm + 2 mm Cu backing, 3 mm + 3 mm Cu backing, 3 mm + 1 mm Cu backing, 3 mm + 2 mm Cu backing + magnetic shim, 3 mm + 3 mm Cu backing + magnetic shim
対応装置: Single-target sputtering systems, multi-target sputtering systems, ion sputtering systems, and magnetron sputtering equipment
梱包: Protective target packaging for laboratory shipment and storage

主な用途

– 窒化ホウ素薄膜の成膜；誘電体および保護コーティングの研究；高温セラミック膜の研究；窒化物 PVD プロセス開発
– 大学・産業界・パイロットスケールでの薄膜プロセス開発