Zinc (Zn) Sputtering Target, 99.995% Purity, Circular

Zinc (Zn) Sputtering Target, 99.995% Purity, Circular

Nanostore の Zinc (Zn) スパッタリングターゲットは、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリング、および実験室での薄膜成膜に用いる純度 99.995% の金属系 PVD ソース材料です。 研究、開発、小ロットのプロセス検討向けに円形ターゲット形状で提供され、クリーンな取り扱い、寸法の安定性、一貫した材料同一性が重視される用途に適しています。

主な特長

ソース材料
ソース組成の管理と安定した成膜挙動が求められる薄膜ワークフロー向けに、99.995% Purity 仕様で提供されます。

円形ターゲット形状
円形直径は、1 inch diameter (25.4 mm), 1.97 inch diameter (50 mm), 2 inch diameter (50.8 mm), 2.36 inch diameter (60 mm), 3 inch diameter (76.2 mm), 3.15 inch diameter (80 mm), 4 inch diameter (101.6 mm), 3.94 inch diameter (100 mm) などをご用意しています。厚さおよびマウントのオプションには、選択する構成に応じて、3 mm thick, 4 mm thick, 5 mm thick, 6 mm thick, 6.35 mm thick などがあります。

管理された加工と検査
ターゲットの製作工程には、材料選定、成形、熱処理、精密機械加工、寸法検査、表面仕上げ、洗浄、最終品質確認が含まれる場合があります。 組成および不純物の管理は、必要に応じて ICP、GDMS、炭素／硫黄分析、酸素／窒素分析、金属組織検査などの分析手法により裏付けられます。

クリーンな取り扱いと梱包
ターゲットは、クリーンな表面取り扱いと保護梱包を施したうえで、成膜用途向けに準備されます。 乾燥環境で密封保管し、清浄な手袋で取り扱い、装着前には油分、粉塵、湿気などによる表面汚染との直接接触を避けてください。

材料特性と技術指標

以下の材料物性値は、材料選定、ソース装填、プロセス設計、薄膜成膜評価のための参考技術指標として提供しています：

– 元素記号: Zn
– CAS番号: 7440-66-6
– 密度: 7.14 g·cm⁻³
– 物理状態: solid
– 融点: 419.53°C
– 沸点: 907°C
– 融解熱: 7.32 kJ·mol⁻¹
– 気化熱: 123.6 kJ·mol⁻¹
– 比熱容量: 25.470 J·mol⁻¹·K⁻¹
– 結晶構造: hexagonal close-packed
– 磁気秩序: diamagnetic
– 熱膨張係数: (25 °C) 30.2 µm·m⁻¹·K⁻¹
– 熱伝導率: 116 W·m⁻¹·K⁻¹
– 電気抵抗率: (20 °C) 59 nΩ·m
– ヤング率: 108 GPa
– せん断弾性率: 43 GPa
– モース硬度: 2.5
– ポアソン比: 0.25
– ブリネル硬度: 412 MPa

主な用途

– Zn および Zn 系薄膜の成膜；酸化物およびカルコゲナイド材料の研究；透明導電性酸化物プロセスの開発；機能性コーティングの研究
– 大学・産業界・パイロットスケールでの薄膜プロセス開発