Germanium (Ge) Single Crystal Wafers
価格帯: ¥34,457 – ¥263,885Germanium (Ge) Single Crystal Wafers 物理的特性: – 結晶構造: Cubic System – 格子定数: 5.6575 Angstrom – 融点: 937.4 °C – 密度: …
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Germanium (Ge) Single Crystal Wafers 物理的特性: – 結晶構造: Cubic System – 格子定数: 5.6575 Angstrom – 融点: 937.4 °C – 密度: …
Gold-Coated Silicon Substrates (Au/Ti on Si (100)) 概要 当社の金コートシリコン基板は、高真空マグネトロンスパッタリングまたは熱蒸着により作製されており、均一な膜厚、強固…
Gold-Coated Silicon Wafers (Au/Ti or Au/Cr on Si) – 2″–8″ 概要 4″ Si (100) | 100 nm Au 構成は、実験室および微細加工用途で最も一般的に使用…
GYSGG (Gd₀.₆₃Y₂.₃₇Sc₂Ga₃O₁₂) Single Crystal Substrates 物理的特性: – 結晶構造: Cubic System – 格子定数: 12.507 Angstrom – 2…
GYSGG (Gd₀.₆₃Y₂.₃₇Sc₂Ga₃O₁₂) Single Crystal Wafers 物理的特性: – 結晶構造: Cubic System – 格子定数: 12.507 Angstrom – 2 the…
HOPG (Highly Oriented Pyrolytic Graphite) Sheets グレード – ZYA / ZYB / ZYB-1 高配向熱分解グラファイト(HOPG)は、c軸方向にきわめて高い結晶配向性…
High Purity Aluminum (Al) Sheets/Foil (99.999%, 5N) – Research Grade 製品説明 High Purity Aluminum Foil (5N, 99.99…
製品説明: 概要: ITO や FTO を含む透明導電性酸化物 (TCO) ガラスのスクライブ用合金カッティングホイールを備えた実験用ツールです。グリップハンドルと、基板分割用の金属ノッキングヘッドを内蔵しています。 主…
Indium Antimonide (InSb) Single Crystal Substrate 物理的特性: – 結晶構造: Cubic System – 格子定数: a=6.48 Angstrom – 密度: 5.…
Indium Antimonide (InSb) Single Crystal Wafers 物理的特性: – 結晶構造: Cubic System – 格子定数: a=6.48 Angstrom – 密度: 5.775…
Indium Arsenide (InAs) Single Crystal Substrates, <100> Orientation, 2 pcs/pack 物理的特性: – 結晶構造: Cubic Sys…
Indium Arsenide (InAs) Single Crystal Substrates, <111> Orientation, 2 pcs/pack 物理的特性: – 結晶構造: Cubic Sys…
Indium Arsenide (InAs) Single Crystal Wafers, <100> Orientation 物理的特性: – 結晶構造: Cubic System – 格子定数: a=6.…
Indium Arsenide (InAs) Single Crystal Wafers, <111> Orientation 物理的特性: – 結晶構造: Cubic System – 格子定数: a=6.…
Indium Phosphide (InP) Single Crystal Substrates, <100> 物理的特性: – 結晶構造: Cubic System – 格子定数: a=5.8687 Ang…
Indium Phosphide (InP) Single Crystal Wafers, <100> 物理的特性: – 結晶構造: Cubic System – 格子定数: a=5.8687 Angstro…
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