Silicon (Si) Single Crystal Substrates (P-type, doped), 5 pcs/pack

価格帯: ¥21,118 – ¥34,457

※日本円による参考価格（日本の消費税は含まれません）

オプション1

オプション3

Orientation

クリア

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説明
追加情報

Silicon (Si) Single Crystal Substrates (Wafers)

物理的特性:
– 結晶構造: Cubic System
– 格子定数: a=5.4301 Angstrom
– 硬度: 6.5 (Mohs)
– 密度: 2.329 g/cm³
– 融点: 1414 °C
– 育成方法: CZ and FZ

標準仕様:
1. 結晶方位に関する注記
– その他の結晶方位もカスタマイズ可能
2. 表面品質
– 研磨: Single-side polished / Double-side polished

シリコンウェハーグレード選択ガイド
研究用途および半導体用途向けに、Research Grade と Prime Grade (Device Grade) の 2 つの主要なウェハーグレードをご用意しています。各グレードは、それぞれ異なる実験・作製ニーズに合わせて規定されています。

Research Grade シリコンウェハー
(別名: Lab Grade / General Research Grade)
説明:
Research Grade のシリコンウェハーは、学術研究、材料科学、薄膜成膜、一般的な実験室用途向けに設計された高品位研磨ウェハーです。高い表面品質と平坦度を備え、デバイス作製以外のほとんどの実験に適しています。
主な特長:
* 高品位な単結晶シリコン
* 片面研磨または両面研磨
* 良好な表面平坦度と清浄度
* 日常的な研究に適したコストパフォーマンス
* 軽微な表面欠陥やパーティクルが存在する場合があります (デバイス用途でなければ問題ないレベル)
* 集積回路作製用としての認証はありません
推奨用途
* 薄膜成膜 (Au, Pt, Ti, Al など)
* 2D 材料の成長・転写
* 光学・フォトニクス実験
* 表面化学・触媒研究
* SEM/AFM による評価
* 電気化学用基板
* 大学での一般的な研究
標準的な対象:
ほとんどの学術・R&D 研究室用途
—
Prime Grade シリコンウェハー (Device Grade)
(半導体／IC／デバイス作製グレード)
説明:
Prime Grade のシリコンウェハーは、半導体産業のデバイスグレード品質に相当します。極めて低い表面粗さ、非常に低い欠陥密度、厳密に管理された電気的・結晶学的仕様を備えています。微細加工、MEMS、半導体デバイス製造に適しています。
主な特長:
* 半導体デバイス作製グレード
* 極めて低いパーティクル・欠陥密度
* 極めて低い表面粗さ (通常 <0.5 nm Ra)
* 抵抗率・結晶方位の厳しい公差
* ウェハー全面での高い均一性
* クリーンルーム対応の梱包
* フォトリソグラフィ・微細加工に適合
推奨用途:
* マイクロ／ナノデバイス作製
* MEMS プロセス
* フォトリソグラフィ
* 半導体デバイス研究
* 超清浄表面を必要とするエピタキシー・薄膜成長
* MOS/MIS 構造作製
* 大学の専用クリーンルームでの使用

オプション1	10 × 10 × 0.5 mm, Double-side Polished, Research Grade, 10 × 10 × 0.5 mm, Single-side Polished, Research Grade, 20 × 20 × 0.5 mm, Double-side Polished, Research Grade, 20 × 20 × 0.5 mm, Single-side Polished, Research Grade, 5 × 5 × 0.5 mm, Double-side Polished, Research Grade, 5 × 5 × 0.5 mm, Single-side Polished, Research Grade
オプション3	P-type (B-doped)
Orientation	(100), (110), (111)