Rhodium (Rh) Sputtering Target, 99.95% Purity, Circular (Request Current Price)

Rhodium (Rh) Sputtering Target, 99.95% Purity, Circular

Nanostore の Rhodium (Rh) スパッタリングターゲットは、純度 99.95% の貴金属 PVD ソース材料であり、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリング、および実験室での薄膜成膜に対応します。クリーンな取り扱い、寸法の一貫性、一貫した材料同一性が重視される研究・開発・小ロットのプロセス作業向けに、円形ターゲット形状で供給されます。

主な特長

ソース材料
管理されたソース組成と安定した成膜挙動が求められる薄膜ワークフロー向けに、純度 99.95% で供給されます。

円形ターゲット形状
円形直径として 1 inch diameter (25.4 mm), 1.97 inch diameter (50 mm), 2 inch diameter (50.8 mm), 2.36 inch diameter (60 mm), 3 inch diameter (76.2 mm), 3.15 inch diameter (80 mm), 4 inch diameter (101.6 mm), 3.94 inch diameter (100 mm) などをご用意しています。厚さおよびマウントオプションには、選択される構成に応じて 3 mm thick, 4 mm thick, 5 mm thick, 6 mm thick, 3.175 mm thick などがあります。

管理された加工と検査
ターゲットの製作工程には、材料選定、成形、熱処理、精密機械加工、寸法検査、表面仕上げ、洗浄、最終品質確認が含まれる場合があります。組成および不純物の管理は、必要に応じて ICP、GDMS、炭素／硫黄分析、酸素／窒素分析、金属組織検査などの分析手法によりサポートされる場合があります。

クリーンな取り扱いと梱包
ターゲットは、クリーンな表面取り扱いと保護梱包により、成膜用途にそのまま使用できる状態で準備されます。乾燥した環境で密封して保管し、清潔な手袋で取り扱い、取り付け前に油分、ほこり、湿気、その他の表面汚染との直接接触を避けてください。

材料特性と技術指標

以下の材料物性値は、材料選定、ソース装填、プロセス計画、および薄膜成膜評価のための参考技術指標として提供されます。

– 元素記号: Rh
– CAS番号: 7440-16-6
– 密度: 12.41 g·cm⁻³
– 物理状態: solid
– 融点: 1964 °C
– 沸点: 3695 °C
– 融解熱: 26.59 kJ·mol⁻¹
– 比熱容量: 24.98 J·mol⁻¹·K⁻¹
– 熱膨張係数: (25 °C) 8.2 µm·m⁻¹·K⁻¹
– 熱伝導率: 150 W·m⁻¹·K⁻¹
– 音速（細棒）: (20 °C) 4700 m·s⁻¹
– ブリネル硬度: 1100 MPa
– せん断弾性率: 150 GPa
– 体積弾性率: 275 GPa
– モース硬度: 6.0

主な用途

– ロジウム薄膜の成膜；高性能電極および触媒コーティングの研究；反射性貴金属膜の研究；Rh PVD プロセス開発
– 学術・産業・パイロットスケールの薄膜プロセス開発