Lead (Pb) Sputtering Target, 99.995%-99.999% Purity, Circular

Lead (Pb) Sputtering Target, 99.995%-99.999% Purity, Circular

ZHC LAB の Lead (Pb) スパッタリングターゲットは、純度 99.995%-99.999% の高純度軟質金属 PVD ソース材料で、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリング、実験室での薄膜成膜に使用されます。クリーンな取り扱い、寸法の一貫性、規定どおりの材質同一性が重視される研究・開発・小ロットのプロセス作業向けに、円形ターゲット形状で提供されます。

主な特長

研究グレードのソース材料
ソース組成の管理と安定した成膜挙動が求められる薄膜ワークフロー向けに、99.995%-99.999% Purity として提供されます。

円形ターゲット形状
円形直径として 4 inch diameter (101.6 mm), 1 inch diameter (25.4 mm), 1.97 inch diameter (50 mm), 2 inch diameter (50.8 mm), 2.36 inch diameter (60 mm), 3 inch diameter (76.2 mm), 3.15 inch diameter (80 mm), 3.94 inch diameter (100 mm) をご用意しています。厚さおよびマウントのオプションには、選択される構成に応じて 6.35 mm thick, 3 mm thick, 4 mm thick, 5 mm thick, 6 mm thick が含まれます。

管理された加工と検査
ターゲットの製作には、材料選定、成形、熱処理、精密機械加工、寸法検査、表面仕上げ、洗浄、最終品質確認が含まれる場合があります。組成および不純物の管理は、必要に応じて ICP、GDMS、炭素／硫黄分析、酸素／窒素分析、金属組織検査などの分析手法によって裏付けられる場合があります。

クリーンな取り扱いと梱包
ターゲットは、クリーンな表面取り扱いと保護梱包を経て、成膜用途向けに準備されます。乾燥した環境で密封して保管し、清浄な手袋で取り扱い、装着前には油分、粉塵、湿気その他の表面汚染との直接接触を避けてください。

材料特性と技術指標

以下の材料物性値は、材料選定、ソース装填、プロセス計画、薄膜成膜評価のための参考技術指標として提供されます：

– 元素記号: Pb
– CAS番号: 7439-92-1
– 密度: 11.34 g·cm⁻³
– 物理状態: solid
– 融点: 327.46°C
– 沸点: 1749°C
– 融解熱: 4.77 kJ·mol⁻¹
– 蒸発熱: 179.5 kJ·mol⁻¹
– 比熱容量: 26.650 J·mol⁻¹·K⁻¹
– 結晶構造: face-centered cubic
– 磁気秩序: diamagnetic
– 熱膨張係数: (25 °C) 28.9 µm·m⁻¹·K⁻¹
– 熱伝導率: 35.3 W·m⁻¹·K⁻¹
– 電気抵抗率: (20 °C) 208 nΩ·m
– ヤング率: 16 GPa
– せん断弾性率: 5.6 GPa
– 体積弾性率: 46 GPa
– モース硬度: 1.5
– ポアソン比: 0.44
– ブリネル硬さ: 5.0 HB = 38.3 MPa

主な用途

– 鉛薄膜の成膜；金属コンタクトおよび遮蔽膜の研究；化合物半導体ソース材料の研究；Pb の PVD プロセス開発
– 学術・産業・パイロットスケールでの薄膜プロセス開発