GaGeTe Crystals

GaGeTe Crystals

GaGeTeは、ファンデルワールス構造を持つ層状半導体であり、独自の電子的・光学的・熱電特性を示します。異方性と高い劈開性により、2次元材料研究、オプトエレクトロニクス、量子材料研究に適した材料です。

サンプルサイズオプション:
10 mm² を超える結晶
25 mm² を超える結晶

材料特性:
層状ファンデルワールス構造: ナノスケール研究のための薄層への剥離を可能にします。
半導体特性: 可変バンドギャップを特長とし、オプトエレクトロニクスデバイスに応用できます。
異方性: 方向依存性の強い電子的・光学的挙動を示します。
熱電性能: 低熱伝導率と高いゼーベック係数により、エネルギー変換用途に有望です。

結晶構造:
タイプ: Rhombohedral層状構造
特徴: 2次元材料研究およびヘテロ構造作製向けに薄いシート状に劈開可能です。

剥離性:
使いやすさ: 単層または数層シートへ容易に剥離でき、専門的な研究に適しています。

その他の特性:
オプトエレクトロニクス特性: 強い光吸収・発光特性を持ち、フォトニクスデバイスに応用できます。 エネルギー

用途: 熱電デバイスおよび光触媒に有望です。
環境安定性: 不活性条件下で安定しており、大気および水分に対する感受性は中程度です。

主な用途:
オプトエレクトロニクス:
フォトディテクター、発光デバイス、太陽電池に応用できます。
2次元材料研究:
剥離した薄層の研究やファンデルワールスヘテロ構造への組み込みに応用できます。 量子材料研究:
低次元の電子的・光学的特性の研究を可能にします。 エネルギー

用途:
熱電デバイス、光触媒、エネルギー貯蔵システムに有望です。 センサー:
異方性の電子的特性により、専門的なセンシング用途に応用できます。 参考文献
1. Drasar, C., et al. “Thermoelectric properties and nonstoichiometry of GaGeTe.” Journal of Solid State Chemistry 193 (2012): 42-46.
2. Wang, Weike, et al. “Ultrathin GaGeTe p-type transistors.” Applied Physics Letters 111.20 (2017): 203504.
3. Kucek, Vladimir, et al. “Optical and transport properties of GaGeTe single crystals.” Journal of Crystal Growth 380 (2013): 72-77.