Copper Sulfide (CuS) Sputtering Target, 99.99% Purity, Circular (Price Upon Request)

Copper Sulfide (CuS) Sputtering Target, 99.99% Purity, Circular (Price Upon Request)

ZHC LAB の Copper Sulfide (CuS) スパッタリングターゲットは、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリング、および実験室での薄膜成膜向けの、純度 99.99%のカルコゲナイドセラミック PVD ソース材料です。研究、開発、小ロットのプロセス作業向けに円形ターゲット形状で供給され、クリーンな取り扱い、寸法の一貫性、規定された材料同一性が重視される用途に適しています。最終コストは選択される寸法と現在の材料市況によって変わるため、価格はお問い合わせに応じてご案内いたします。

主な特長

研究グレードのソース材料
ソース組成の管理と安定した成膜挙動が求められる薄膜ワークフロー向けに、純度 99.99% で供給されます。

円形ターゲット形状
円形直径は 1.97 inch diameter (50 mm), 2 inch diameter (50.8 mm), 2.36 inch diameter (60 mm), 3 inch diameter (76.2 mm) などをご用意しています。厚さおよび取付オプションには、選択される構成に応じて 3 mm thick, 3 mm + 2 mm Cu backing, 3 mm + 3 mm Cu backing, 3 mm + 2 mm Cu backing + magnetic shim, 3 mm + 3 mm Cu backing + magnetic shim などがあります。

管理された加工と検査
ターゲットの作製には、材料選定、成形、熱処理、精密機械加工、寸法検査、表面仕上げ、洗浄、最終品質確認が含まれる場合があります。組成および不純物の管理には、必要に応じて ICP、GDMS、炭素／硫黄分析、酸素／窒素分析、金属組織検査などの分析手法が用いられる場合があります。

クリーンな取り扱いと梱包
ターゲットは、クリーンな表面取り扱いと保護梱包により成膜用途向けに準備されます。乾燥した環境で密封して保管し、清潔な手袋で取り扱い、取り付け前に油分、粉塵、湿気、その他の表面汚染との直接接触を避けてください。

取付構成に関する備考
本製品の構成には、3 mm + 2 mm Cu backing; 3 mm + 2 mm Cu backing + magnetic shim; 3 mm + 3 mm Cu backing; 3 mm + 3 mm Cu backing + magnetic shim などの取付オプションが含まれます。スパッタ源の形状およびカソード要件に応じて、プレーンターゲット、Cu バッキング付きターゲット、またはマグネチックシム付き構成をお選びください。

技術仕様

材質: Copper Sulfide (CuS)
純度／組成: 99.99% Purity
形状: Circular sputtering target
対応直径: 1.97 inch diameter (50 mm), 2 inch diameter (50.8 mm), 2.36 inch diameter (60 mm), 3 inch diameter (76.2 mm)
対応厚さ／バッキングオプション: 3 mm thick, 3 mm + 2 mm Cu backing, 3 mm + 3 mm Cu backing, 3 mm + 2 mm Cu backing + magnetic shim, 3 mm + 3 mm Cu backing + magnetic shim
対応装置: Single-target sputtering systems, multi-target sputtering systems, ion sputtering systems, and magnetron sputtering equipment
梱包: Protective target packaging for laboratory shipment and storage

主な用途

– 硫化銅薄膜の成膜；カルコゲナイド半導体の研究；光熱およびエネルギー材料膜の研究；CuS PVD プロセス開発
– 学術・産業・パイロットスケールの薄膜プロセス開発